扫描电镜相关参数

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时间:2018-07-11

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1、扫描电镜相关参数·关键技术参数1.分辨率:对微区成分分析而言,它是指能分析的最小区域;对成像而言,它是指能分辨两点之间的最小距离。分辨率大小由入射电子束直径和调制信号类型共同决定。电子束直径越小,分辨率越高。但由于用于成像的物理信号不同,例如二次电子和背反射电子,在样品表面的发射范围也不相同,从而影响其分辨率。一般二次电子像的分辨率约为5-10nm,背反射电子像的分辨率约为50-200nm。2.放大倍数:当入射电子束作光栅扫描时,若电子束在样品表面扫描的幅度为As,在荧光屏阴极射线同步扫描的幅度为Ac,则扫描电镜的放大倍数为:M=

2、Ac/As3.真空系统 Pa 4.加速电压 Kv5.电子束电流uA6.样品室内部尺寸 mm7.样品台行程8.样品最大高度mm·样品减薄技术复型技术只能对样品表面性貌进行复制,不能揭示晶体内部组织结构信息,受复型材料本身尺寸的限制,电镜的高分辨率本领不能得到充分发挥,萃取复型虽然能对萃取物相作结构分析,但对基体组织仍是表面性貌的复制。在这种情况下,样品减薄技术具有许多特点,特别是金属薄膜样品:可以最有效地发挥电镜的高分辨率本领;能够观察金属及其合金的内部结构和晶体缺陷,并能对同一微区进行衍衬成像及电子衍射研究,把性貌信息于结构信息联

3、系起来;能够进行动态观察,研究在变温情况下相变的生核长大过程,以及位错等晶体缺陷在引力下的运动与交互作用。·表面复型技术谓复型技术就是把金相样品表面经浸蚀后产生的显微组织浮雕复制到一种很薄的膜上,然后把复制膜(叫做“复型”)放到透射电镜中去观察分析,这样才使透射电镜应用于显示金属材料的显微组织有了实际的可能。用于制备复型的材料必须满足以下特点:本身必须是“无结构”的(或“非晶体”的),也就是说,为了不干扰对复制表面形貌的观察,要求复型材料即使在高倍(如十万倍)成像时,也不显示其本身的任何结构细节。必须对电子束足够透明(物质原子序数

4、低);必须具有足够的强度和刚度,在复制过程中不致破裂或畸变;必须具有良好的导电性,耐电子束轰击;最好是分子尺寸较小的物质---分辨率较高。·真空系统和电源系统真空系统的作用是为保证电子光学系统正常工作,防止样品污染提供高的真空度,一般情况下要求保持10-4-10-5mmHg的真空度。电源系统由稳压,稳流及相应的安全保护电路所组成,其作用是提供扫描电镜各部分所需的电源。·信号检测放大系统其作用是检测样品在入射电子作用下产生的物理信号,然后经视频放大作为显像系统的调制信号。不同的物理信号需要不同类型的检测系统,大致可分为三类:电子检测

5、器,应急荧光检测器和X射线检测器。在扫描电子显微镜中最普遍使用的是电子检测器,它由闪烁体,光导管和光电倍增器所组成。·样品室样品室中主要部件是样品台。它出能进行三维空间的移动,还能倾斜和转动,样品台移动范围一般可达40毫米,倾斜范围至少在50度左右,转动360度。样品室中还要安置各种型号检测器。信号的收集效率和相应检测器的安放位置有很大关系。样品台还可以带有多种附件,例如样品在样品台上加热,冷却或拉伸,可进行动态观察。近年来,为适应断口实物等大零件的需要,还开发了可放置尺寸在Φ125mm以上的大样品台。·扫描线圈其作用是提供入射电

6、子束在样品表面上以及阴极射线管内电子束在荧光屏上的同步扫描信号。改变入射电子束在样品表面扫描振幅,以获得所需放大倍率的扫描像。扫描线圈是扫描点晶的一个重要组件,它一般放在最后二透镜之间,也有的放在末级透镜的空间内。·电磁透镜其作用主要是把电子枪的束斑逐渐缩小,是原来直径约为50mm的束斑缩小成一个只有数nm的细小束斑。其工作原理与透射电镜中的电磁透镜相同。扫描电镜一般有三个聚光镜,前两个透镜是强透镜,用来缩小电子束光斑尺寸。第三个聚光镜是弱透镜,具有较长的焦距,在该透镜下方放置样品可避免磁场对二次电子轨迹的干扰。·电子枪其作用是利

7、用阴极与阳极灯丝间的高压产生高能量的电子束。目前大多数扫描电镜采用热阴极电子枪。其优点是灯丝价格较便宜,对真空度要求不高,缺点是钨丝热电子发射效率低,发射源直径较大,即使经过二级或三级聚光镜,在样品表面上的电子束斑直径也在5-7nm,因此仪器分辨率受到限制。现在,高等级扫描电镜采用六硼化镧(LaB6)或场发射电子枪,使二次电子像的分辨率达到2nm。但这种电子枪要求很高的真空度。·俄歇电子如果原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量不是以X射线的形式释放而是用该能量将核外另一电子打出,脱离原子变为二次电子,这种二次电子叫做俄歇电子。

8、因每一种原子都由自己特定的壳层能量,所以它们的俄歇电子能量也各有特征值,能量在50-1500eV范围内。俄歇电子是由试样表面极有限的几个原子层中发出的,这说明俄歇电子信号适用与表层化学成分分析。·特征X射线特征X射线是原子的内层电子受到激发以后在能

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