矩量法脉冲函数点配法求直导体电容

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1、南京电子技术研究所李宇超脉冲函数点配法求直导体电容姓名：李宇超一、已知条件：任意长度L的导体，半径a(a<

2、时，C=31.59pF。31.59pF图1.4导体电容随长度变化曲线（2）N=20、L=3m导体电容C随半径a变化。A=0.01时，C=31.59pF。31.59pF图1.5导体电容随半径变化曲线第5页共5页南京电子技术研究所李宇超四、结论通过本次作业得到以下结论：1.导体表面电荷分布以中心轴对称，两端电荷积累多，中间电荷积累少；2.在固定导体半径时，导体电容随导体长度线性增加；3.在固定导体长度时，导体电容随导体半径增加；4.固定导体长度、半径，增加分段数只会改变导体电容值的精度，减小误差，不会有太大影响。五、源代码

3、1.电荷密度分析%********************************************************************%****电荷分布分析作者：李宇超%********************************************************************clear;%清理内存L=3;%长度为3mN=10;%分段数20dL=L/N;a=0.01;%半径t=4*pi*1e-9/(36*pi);%固定参数4πεforn=1:Nform=1:Nif(n==

4、m)%对角线元素计算S(n,n)=(1/t)*log((0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2))/(-0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2)));else%非对角元素计算S(n,m)=(1/t)/abs(m-n);endendendA=Sones(N,1);fori=1:N%完成阶跃图形ifi==1tao(1:(50/2))=A(i);elsetao((50*i-75)+1:50*i)=A(i);endend;C=sum(A)*dL*1e12;dN=1:10;%用于下面画图plot

5、(dN,A','-*');holdon;x=1:(20/999):N+1;plot(x,tao,'-g');第5页共5页南京电子技术研究所李宇超axis([1,10,0.95e-11,1.25e-11]);xlabel('Sectionsofthewire/m'),ylabel('Chargedensitydistributiontao');title('Thelinechargedenstiydistribution');gridon;holdoff;2.导体电容随长度变化分析%*******************

6、*******************************************************%****直导线电容随长度变化分析作者：李宇超%**************************************************************************clear;clc;%清理内存L=0.5:0.5:10;%分别分析长度为1到10m的导体电线（按0.5m增加）N=20;%分段数10段dL=L./N;a=0.01;%半径t=4*pi*1e-9/(36*pi);%固定参

7、数4πεforp=1:20%每一个导线用一页来存储forn=1:Nform=1:Nif(n==m)%对角线元素计算S(n,n,p)=(1/t)*log((0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p)).^2+a^2))/(-0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p)).^2+a^2)));else%非对角元素计算S(n,m,p)=(1/t)/abs(m-n);endendendA(:,p)=S(:,:,p)ones(N,1);endtao=sum(A);%tao为电荷分布C=tao.*dL*1e12;p

8、lot(L,C,'-*');xlabel('thelengthofthewire/m'),ylabel('thecapacitanceofthewire/pF');title('Capacitanceviriationwithrespecttolength');gridon;holdon;3.导体电容随半径变化%*********