高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明

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1、高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明沈阳天成真空技术有限责任公司20011年12月9高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明本磁控溅射设备是受吉林大学的委托，根据双方签署的技术合同要求而研制的。本磁控溅射设备可装卡直径Φ70以下的样品，溅射室极限真空度优于2×10-4Pa。下面就本磁控溅射设备的构成及其配置、操作及其注意事项说明如下：1设备构成及其配置本沉积系统主要由镀膜系统、真空获得及测量系统、配气系统、加热器与温度控制系统、升降系统、水路循环系统等组成。该沉积系统结构图如下：1.1镀膜系统镀膜系统由装片架、磁控靶等组成。1.1.1装片架9装片架主要由

2、架板、样品卡等组成。详见下图：1.1.2磁控靶本沉积系统配有一套磁控靶、一套1kW的RF溅射电源和一套500W的直流溅射电源及一套100W的偏压电源。镀膜时，可根据需要分别手工连接至直流溅射电源、偏压电源及RF溅射电源。RF溅射电源、直流溅射电源及偏压电源分别见各自的说明书。磁控靶的安装：①如图：将图中箭头所指示的三个内六角螺钉松开一点，不必9卸下来。②如图：将图中箭头所指示的屏蔽罩向上抽出。①如图：将图中箭头所指示的四个内六角螺钉卸下来。②如图：将图中箭头所指示的压盖取出。9①如图：将图中箭头所指示的靶材（Φ76-0.2-0.3×3.2）放

3、到靶面上。然后将压盖及屏蔽罩装上，拧紧内六角螺钉,然后用万用表检测靶面与真空室腔体是否连通，不通则正常。至此靶材安装完成。1.2真空获得、配气及测量系统真空获得及测量系统主要由沉积室（内壁尺寸为φ300×300）、1台PN2K—600L复合分子泵（抽速为600L/s）及1台FX16型机械泵（抽速为4L/s）、CC150闸板阀、1个隔断阀、1个电磁阀、1个CF35角阀、一个CF16角阀、前级管道、预抽管道、2个D07系列质量流量计、1个D08型流量显示仪、1个电阻规、1个电离规、ZDF-5227复合真空计组成，其极限真空度优于2×10-4Pa。

4、1.3加热器与温度控制系统加热器由石墨片、钼杆和隔热屏等组成，加热温度优于500℃，9其结构详见下图：温度控制系统详见电器部分说明书。1.4升降系统升降系统由上盖升降机构及磁控靶升降机构组成。1.4.1上盖升降机构上盖升降机构由电机、减速器、丝杠等组成，功能为实现真空室上盖的升降。其结构见下图：91.4.2磁控靶升降机构磁控靶升降机构由丝杠、双柄手轮、轴承、标尺等组成，主要是实现磁控靶的升降，其升降范围为70mm。其结构见下图：1.6水路循环系统水路循环系统由分水器，水压继电器、水管等组成，主要作用是磁控靶与分子泵的冷却。91设备操作及其注意

5、事项2.1真空操作2.1.1极限真空操作1）开机前，将所有阀门置于关闭状态，只开通分子泵冷却水并打开总电源；2）启动机械泵，开真空计；3）打开真空室上的CF35角阀，打开电磁隔断阀；4）待真空度达到20Pa以下,关闭CF35角阀；5）启动分子泵，将CC150闸板阀打开，直至达到极限真空；2.1.2镀膜真空操作1）装上样品，落下真空室上盖，开机前，所有阀门置于关闭状态，开通全部冷却水并打开总电源；2）启动机械泵，开真空计；3）打开真空室上的CF35角阀、CF16角阀、气路截止阀及隔断阀，流量计处于打开状态，对真空室及配气管路进行预抽；4）待真空

6、度达到20Pa以下,关闭CF35角阀、气路截止阀；5）启动分子泵，将CC150闸板阀打开；6）待真空度达到10-3~10-4Pa后，向真空室配气，调整CC150闸板阀阀板位置，直至镀膜工艺要求的真空度，然后进行镀膜过程操作（根据镀膜工艺要求是否启动样品加热及偏压电源）；7）镀膜过程结束后，停止配气，关闭气路截止阀、CF16角阀、8）停止分子泵至转速为0；99）停止机械泵（如已开启加热，待温度降到200℃以下时，方可停止机械泵），打开放气阀，使真空室达到常压，关闭冷却水；10）升启上盖，取出装片架。2.1.3注意事项1）分子泵、磁控靶，必须检查

7、冷却水是否开通；2）分子泵必须达到启动条件（20Pa以下）方可启动；3）磁控靶升降需在标尺刻度65mm—135mm范围内；4）真空室尽可能不暴露大气；5）丝杠及导套部分定期涂抹润滑脂；6）射频电源功率调节不超过500W，防止烧坏磁控靶；7）加热器启动时，真空度必须达到几pa方可，以免损坏石墨片；8）定期清理真空室内的屏蔽罩，保持清洁；9