mosfet开关特性解析

《mosfet开关特性解析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、控制器MOSFET开关特性MOSFET的开启过程：1、在t0前，MOSFET工作于截至状态，从t0开始，驱动开始开通；2、在区间[t0-t1]，栅极电源对Cgs电容充电，栅源电压慢慢升高，在t1时刻，Vgs等于维持电压Vth，MOSFET开始导通；在区间[t1-t2]，图1和图2的波形，差异很大，图1中，Vds在t1时刻就开始下降，在[t1-t2]下降幅度剧烈，在t2时刻，基本下降结束；但是在图2中，Vds在t2时刻才开始下降，米勒平台结束后，Vds降压结束！所以，如果以<图2>为准，那么，接下来我

2、们可以对MillierPlatform做出合理的分析：3、[t1-t2]区间，MOSFET未开启，VDS变化微弱，Cds变化很小，对GS电容的充电影响不大；4、[t2-t3]区间，至t2时刻，MOSFET的VDS电压骤衰，此时Cds放电，导致Cgd的漏极端电压下降，开始放电，Millier电容大大增加，然后，-3-控制器外部驱动对Millier电容进行充电，结电容Cgd的电压不变（有时会降一点），Millier电容上电压最终变为0V，MOSFET的VDS电压等于Vgs的电压；MOSFET的关断过程：

3、MOSFET的关断过程即为逆过程！备注：密勒电容(MillerCapacitance)就是跨接在放大器（放大工作的器件或者电路）的输出端与输入端之间的电容。-3-控制器-3-