寄生电感对SiC﹢MOSFET开关特性的影响

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1、第49卷第4期2017年8月南京航JournalofNanjingDOI:10.16356/j.1005—2615.2017.04.012空航天大学学报UniversityofAeronautics&Astronautics寄生电感对SiCMOSFET开关特性的影响秦海鸿1朱梓悦1戴卫力2徐克峰1付大丰1王丹1(1.南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室,南京,211106;2.河海大学江苏省输配电装备技术重点实验室,常州,213022)V01.49No.4Aug.2017摘要:随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SIC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,

2、无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiCMOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiCMCISFET开关特性的影响规律。在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计。关键词:电力电子;

3、碳化硅;寄生电感;匹配关系;布局设计中图分类号:TM315文献标志码:A文章编号:1005—2615(2017)04-0531—09InfluenceofParasiticInductanceonSwitchingCharacteristicsofSiCMOSFETQINHaihon91,ZHUZiyuel,DAI肌iZi2,XUKefen91,FUDafen91,WANGDanl(1.CenterforMoreElectricAircraftPowerSystem,NanjingUniversityofAeronautics&Astronautics,Nanjing,21110

4、6,China;2.JiangsuKeyLaboratoryofPowerTransmissionandDistributionEquipmentTechnology,HohaiUniversity,Changzhou,213022,China)Abstract:ParasiticinductancehaslargerinfluenceonSiliconCarbidedeviceswiththeincreaseOfswitc—hingfrequency.Thislimitsfullutilizationofperformanceadvantagesoflowswitchinglo

5、ssesinhighfre—quencyapplications.Bycombiningtheoreticalanalysiswithexperimentalparametricstudy,amath—ematicmodelconsideringparasiticinductanceisdevelopedforthebasicswitchingcircuitofSiCMOS—FET.Mainfactorswhichaffecttheswitchingcharacteristicsareexplored.Moreover,afast—switchingdouble——pulsete

6、stplatformisbuilttomeasureindividualinfluenceofeachparasiticinductanceonswitc——hingcharacteristicsandguidelinesarerevealedthroughexperimentalresults.Duetolimitsofpracticallayoutinhigh—speedswitchingcircuitsofSiCdevices,thematchingrelationsaredevelopedandanopti—mizedlayoutdesignmethodofparasit

7、icinductanceisproposedunderaconstantlengthoftheswitchingloop.ThedesigncriteriaareconcludedbasedOiltheimpactofparasiticinductance,whichprovideguide—linesforlayoutdesignconsiderationsforSiC—basedhigh~speedswitchingcircuits.Keywords:powerelectro

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