原位低压氧化参数对zno薄膜的性能影响1

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1、○A基础理论●B应用研究○C调查报告○D其他本科毕业论文（设计）题目原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响二级学院　　物理科学与技术学院专业物理学年级2004级学号姓名指导教师成绩2008年月日湛江师范学院本科毕业论文（设计）指导教师评阅表毕业论文（设计）题目原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响姓名学号二级学院、专业、年级物理科学与技术学院2004级物理学本科1班指导教师评阅时间评阅意见论文成绩总成绩指导教师评阅成绩交叉评阅教师成绩答辩成绩指导教师签名备注目录中文摘要：1英文摘要：1引言11.样品的制备与表征仪器22.原位低压氧化参数对Zn

2、O薄膜的性能影响32.1未氧化和450℃氧化2小时薄膜样品32.2不同温度下氧化2小时样品42.3氧化温度为500℃时不同氧化时间样品52.4不同样品的电学测量结果62.5不同氧化温度下氧化2小时的样品8结论9致谢9参考文献10原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响湛江师范学院物理科学与技术学院摘要：利用反应溅射技术制备Zn3N2薄膜，然后对Zn3N2薄膜进行原位氧化，成功制备出低阻p型ZnO薄膜。这种制备方法是以Zn3N2薄膜作为前驱体，通过调节氧化的工艺参数来控制样品中活性氮的含量。该工艺采用了原位低压氧化技术，降低了碳、氢等元素的污染，

3、同时还抑制了Zn3N2的水解反应，优化了ZnO薄膜的电学和光学性质。本论文主要研究的是原位低压氧化法中其参数对ZnO薄膜性能的影响关键词：原位氧化、ZnO、薄膜In-situlowpressureoxidationparametersonthepropertiesofZnOfilmsZhanjiangNormalUniversity,zhanjiang,Guangdong,China524048Abstract:ThereactionofZn3N2filmsputteringtechnology,andthenthegeneralZn3N2f

4、ilmoxidationandin-situoxidation,tothesuccessoflowresistancep-typeZnOfilms.ThispreparationisZn3N2filmasaprecursor,throughtheadjustmentoftheprocessparameterstocontrolsamplesofthenitrogencontent.Theprocessusedinsituoxidationoflowpressureandreducethecarbon,hydrogenandothereleme

5、ntsofpollution,andalsorestrainedtheZn3N2thehydrolysis,andoptimizetheZnOfilmselectricalandopticalproperties.ThispaperisontheinsituoxidationoflowpressureinitsparametersonthepropertiesofZnOfilmsKeywords:Parameters、ZnO、Films11引言氧化锌薄膜是一种六角纤锌矿结构的直接带宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，它有较高的激子结合

6、能（60meV）和较低的亲合势（3.0eV）。由于ZnO可实现P型或N型掺杂，有很高的导电、导热性能，化学性能稳定，因此有可能用于薄膜场发射阴极中，作为电子传输层材料。ZnO薄膜可以在低于500℃温度下获得，不仅可以减少材料在高温制备时产生的杂质和缺陷，同时也大大简化了制备工艺。此外，ZnO来源丰富、价格低廉、又具有很高的热稳定性和化学稳定性。上述这些优点使氧化锌成为了一种潜在的、用途广泛的新一代短波长光电功能材料[1]。实现ZnO基发光器件的首要条件是制备低阻p型ZnO薄膜[2]，本实验利用反应溅射技术制备Zn3N2薄膜，然后对Zn3N2薄

7、膜进行原位氧化，成功制备出低阻p型ZnO薄膜。这种制备方法是以Zn3N2薄膜作为前驱体，通过调节氧化的工艺参数来控制样品中活性氮的含量。该工艺采用了原位低压氧化技术，降低了碳、氢等元素的污染，同时还抑制了Zn3N2的水解反应，优化了ZnO薄膜的电学和光学性质。本论文主要研究的是原位低压氧化法中其参数对ZnO薄膜的性能影响1.样品的制备与表征仪器本实验采用对Zn3N2前驱体进行氧化的方法制备ZnO薄膜。实验分为两个部分：首先，采用超高真空多靶磁控溅射系统制备的Zn3N2薄膜作为前驱体。靶材是直径为60mm高纯锌(99.999%)，靶面与衬底之间

8、的距离为60mm。衬底是玻璃、石英玻璃、硅片，衬底温度由安装在基片托后面的电热丝加热器和温度控制系统来控制。硅片先在氢氟酸（15％）中煮沸15分钟除去表面氧化层。然