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《靶与衬底之间的距离对ZnO_Zr透明导电薄膜性能的影响》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第39卷第6期人工晶体学报Vo.l39No.62010年12月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSDecember,2010靶与衬底之间的距离对ZnOZr透明导电薄膜性能的影响张化福,陈钦生,刘汉法(山东理工大学理学院,淄博255049)摘要:利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnOZr)透明导电薄膜。并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnOZr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,
2、靶与衬底之间的距离对ZnOZr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnOZr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当靶与衬底之间的距离从60mm减小到50mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大。当靶与衬底之间的距离为50mm时,薄膜的电阻率-4达到最小值4.210!cm,其可见光透过率超过95%。实验制备的ZnOZr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。关
3、键词:靶与衬底之间的距离;ZnOZr;透明导电薄膜;磁控溅射中图分类号:TN304.2,TN304.055文献标识码:A文章编号:1000985X(2010)06141205EffectofTargettosubstrateDistanceonthePropertiesofZirconiumdopedZincOxideTransparentConductiveFilmsZHANGHuafu,CHENQinsheng,LIUHanfa(SchoolofScience,ShandongUniversityofTec
4、hnology,Zibo255049,China)(Received5March2010,accepted15July2010)Abstract:Zirconiumdopedzincoxide(ZnOZr)transparentconductingfilmswithhightransparencyandlowresistivityhavebeensuccessfullypreparedbydirectcurrentmagnetronsputteringmethodatroomtemperature.Theeffectoftarget
5、tosubstratedistanceonstructura,lmorphologica,lopticalandelectricalpropertiesofZnOZrfilmsweresystematicallyinvestigated.Experimentalresultsshowthattargettosubstratedistanceplaysanimportantroleonthegrowthrate,crystallinequallityandelectricalresistivityofZnOZrfilmsbutsl
6、ightlyinfluencestheopticalproperties.Thedepositedfilmsarepolycrystallinewithahexagonalstructureandhaveapreferredorientationalongthecaxisperpendiculartothesubstrate.Whentargettosubstratedistancedecreasesfrom60mmto50mm,thecrystallinityimprovesandthecrystallitesizeincreas
7、eswhiletheresistivitydecreases.However,whenthedistancefurtherdecrease,thecrystallinityaswellasthecrystallitesizedecreaseswhiletheresistivityincreases.Whentargettosubstratedistanceis-450mm,itisobtainedthatthelowestresistivityis4.210!cmwithaveryhightransmittanceof收稿日期:
8、20100305;修订日期:20100715基金项目:山东省自然科学基金(ZR2009GQ011)资助项目作者简介:张化福(1977),男,山东省人,硕士。Emai:lhu
