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时间:2020-10-04
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1、第5章晶体三级管及其放大电路7/28/20211电路与模拟电子技术基础BJT:BipolarJunctionTransistor——双极型晶体管——(晶体三极管、半导体三极管)﹡双极型器件两种载流子(多子、少子)7/28/20212电路与模拟电子技术基础几种常见晶体管的外形7/28/20213电路与模拟电子技术基础5.1.1晶体管的结构及其类型ecb发射极基极集电极发射结集电结基区发射区集电区NPNcbeNPN(a)NPN管的原理结构示意图(b)电路符号(base)(collector)(emitter)符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时电流的流向。7/2
2、8/20214电路与模拟电子技术基础晶体管的结构7/28/20215电路与模拟电子技术基础PNPcbe(b)电路符号(a)PNP型三极管的原理结构符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时电流的流向。7/28/20216电路与模拟电子技术基础图2-3平面管结构剖面图*结构特点1、三区两结2、基区很薄3、e区重掺杂c区轻掺杂b区掺杂最轻4、集电区的面积则比发射区做得大,这是三极管实现电流放大的内部条件。7/28/20217电路与模拟电子技术基础5.1.2晶体管的电流分配与放大作用(以NPN管为例)一、放大状态下晶体管中载流子的运动BJT处于放大状态的条件:内部条件:
3、发射区重掺杂(故管子e、c极不能互换)基区很薄(几个m)集电结面积大外部条件:发射结正偏集电结反偏7/28/20218电路与模拟电子技术基础NPN型晶体管的电流关系7/28/20219电路与模拟电子技术基础外加偏置电压要求对NPN管UC>UB>UEUCUEUB对PNP管要求UC<UB<UEUCUEUB7/28/202110电路与模拟电子技术基础共射极直流电流放大系数一般1、直流电流放大系数7/28/202111电路与模拟电子技术基础5.1.3晶体管的共射特性曲线晶体管特性曲线:描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。icebiBC输出回路输入回路ecbiBiEc
4、eiEiCb(a)共发射极(b)共集电极(c)共基极7/28/202112电路与模拟电子技术基础下面以共射极电路为测试电路μAmAVViBiCUCCUBBRCRB+-uBE+-uCE+-7/28/202113电路与模拟电子技术基础5.1.3.1共射极输入特性曲线共射组态晶体管的输入特性:μAmAVViBiCUCCUBBRCRB+-uBE+-uCE+-它是指一定集电极和发射极电压UCE下,三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。7/28/202114电路与模拟电子技术基础cICeIENPNIBRCUCCUBBRBbIBNIENICN7/28/20211
5、5电路与模拟电子技术基础5.1.3.2共射极输出特性曲线共射组态晶体管的输出特性:它是指一定基极电流IB下,三极管的输出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。7/28/202116电路与模拟电子技术基础uCE/V5101501234iC/mAIB=40A30A20A10A0AcICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICN7/28/202117电路与模拟电子技术基础共射输出特性曲线7/28/202118电路与模拟电子技术基础一、放大区★发射结正向偏置,集电结反向偏置1、基极电流iB对集电极电流iC的控制作用很强uCE/V
6、5101501234饱和区截止区iB=-ICBO放大区iC/mAuCE=uBEIB=40A30A20A10A0A在数值上近似等于β问题:特性图中β=?β=1007/28/202119电路与模拟电子技术基础2、uCE变化时,iC影响很小(恒流特性)uCE/V5101501234饱和区截止区iB=-ICBO放大区iC/mAuCE=uBEIB=40A30A20A10A0A即:iC仅决定于iB,与输出环路的外电路无关。放大区7/28/202120电路与模拟电子技术基础二、饱和区★发射结和集电结均正向偏置uCE/V5101501234饱和区截止区iB=
7、-ICBO放大区iC/mAuCE=uBEIB=40A30A20A10A0A临界饱和:uCE=uBE,uCB=0(集电结零偏)7/28/202121电路与模拟电子技术基础IcCeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1饱和区(1)iB一定时,iC比放大时要小三极管的电流放大能力下降,通常有iC<βiB(2)uCE一定时iB增大,iC基本不变图2-6饱和区载流子运动情况7/28/202122电路与模拟电子技术基础三、截止区★发射结和集电结均反向偏置iB=-iCBO(此时iE=0)以下称为截止区。工程上认为:iB=0以下即为截止区。7
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