封装流程介绍课件.ppt

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1、封裝流程介紹一.晶片封裝目的二.IC各部份名称三.产品加工流程四.IC前段封装流程五.IC后段封装流程IC封装是属半导体产业的后段加工制程，主要是将前制程加工完成（即晶圆厂所生产）之晶圓上IC予以分割，粘晶、并加上外接引脚及包覆。而其成品（封装体）主要是提供一個引接的介面，內部电性讯号亦可透过封装材料(引脚)将之连接到系统，並提供矽晶片免于受外力与水、湿气、化学物之破坏与腐蚀等。晶片封裝的目的所謂IC封裝(ICPACKAGE)就是将IC晶片(ICCHIP)包装起來，其主要的功能与目的有：一、保护晶片避免受到外界机械或化学力量的破坏与污染。二

2、、增加机械性质与可携带性。产品尾端产品表面产品边缘产品前端产品转角Pin1钉脚脚尖钉架肩部EjectorpinmarkIC产品各部名称热固性环氧树脂(EMC)金线(WIRE)L/F外引脚(OUTERLEAD)L/F內引脚(INNERLEAD)晶片(CHIP)晶片托盘(DIEPAD)IC封裝成品构造图WaferInWaferGrinding(WG研磨)WaferSaw(WS切割)DieAttach(DA粘晶)EpoxyCuring(EC银胶烘烤)WireBond(WB焊线)DieCoating(DC晶粒封胶)Molding(MD封胶)Post

3、MoldCure(PMC封胶後烘烤)Dejunk/Trim(DT去胶去纬)SolderPlating(SP电镀)TopMark(TM正面印码)Forming/Singular(FS去框/成型)LeadScan(LS检测)Packing(PK包装)ProductionTechnologyCenter传统IC封裝流程ProductionTechnologyCenterBGA封裝流程TE-BGAProcessFlow(ThermalEnhanced-BGA)DieBondWireBondPlasmaHeatSlugAttachMoldingBal

4、lPlacementPlasmaEpoxyDispensingIC封装前段流程WaferGrinding(WG研磨)WaferSaw(WS切割)DieAttach(DA粘晶)Wafermount(WM)贴片EpoxyCuring(EC银胶烘烤)DieCoating(DC晶粒封胶)WireBond(WB焊线)WaferGrinding减薄（Backgrind）是指在封装之前，将晶圆的背面研磨使晶圆达到一个合适的厚度。这一步并不是必需的。但是，目前由于芯片有越做越薄的趋势，所以，基本上不可缺少。但是，有些晶圆在出厂前就已经减薄了，把这一步提前了

5、。在封装工厂就不必有这一流程。通常减薄后，晶圆的厚度会达到8mils-20mils。（这里注意，由于历史的原因，半导体行业习惯用英制的单位。通常我们说的8吋，12吋的晶圆，也是英制）。在减薄之前，我们通常会将晶圆清洗，然后在正面贴上保护兰膜。以防止在研磨过程中对晶圆造成污染或者机械的损伤。在做好准备之后，晶圆被放进研磨机，整个的上下料过程都是由机械手来完成的。研磨过程也是完全的自动控制，保证研磨能够达到一个理想的精度。在研磨的过程中，需要持续地注入D/I水，也就是去离子水。D/I水的作用主要有三个：一是及时地清洗掉研磨产生的硅粉；二是冷却降

6、温，因为研磨过程中晶圆会发热；三是去除研磨过程中产生的静电。减薄过程中毕竟重要的参数控制包括：研磨头的转速以及给进速度；冷却液的温度和流量；D/I水的温度和流量；晶圆的厚度。DieSaw芯片切割之目的乃是要将前制程加工完成的晶圆上一颗颗之晶粒（Die）切割分离。首先要在晶圆背面贴上胶带（bluetape）并置于钢制之框架上，此一动作叫晶圆粘片（wafermount），而后再送至芯片切割机上进行切割。如图一,切割完后，一颗颗之晶粒井然有序的排列在胶带上，如图二，同时由于框架之支撑可避免胶带皱折而使晶粒互相碰撞，而框架撑住胶带以便于搬运。图一图

7、二晶圓切割良率影响因素锯片的选择锯片之转速机台之稳定性晶片之进料速度晶圓之厚度晶片之表面状态冷却剂DieBond/DieAttach粘晶的目的乃是将一颗颗分离的晶粒放置在导线架（leadframe）上并用银胶（epoxy）粘着固定。导线架是提供晶粒一个粘着的位置（晶粒座diepad），并预设有可延伸ＩＣ晶粒电路的延伸脚（分为内引脚及外引脚innerlead/outerlead）一个导线架上依不同的设计可以有数个晶粒座，这数个晶粒座通常排成一列，亦有成矩阵式的多列排法。导线架经传输至定位后，首先要在晶粒座预定粘着晶粒的位置上点上银胶（此一动作

8、称为点胶），然后移至下一位置将晶粒置放其上。而经过切割之晶圆上之晶粒则由取放臂一颗一颗地置放在已点胶之晶粒座上。粘晶完后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内。Wi