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1、,..然后进行抛光实验616TN305,2000053“,冻成低温抛光模层图表参ineph-o(李瑞琴)线光学光刻技术及其发展潜力一i一il-tolithograPhyteehniqueandPotentialdeveloP.,,entm〔刊中」/孙再吉(南京电子器件研究所江苏南,微细加工技术与设备京(210016))/固体电子学研究与进展一199919.(4)一438一447TN30520000535,“分析了i线光学光刻技术的现状和发展指出结合areationoree自由空间微光学元件的研制一Fbiff一,移相掩模技术和离轴照明技术可在确
2、保焦深的基础上,,spacecrooptieaeeents。mi一llm[刊中〕/周光亚赵大幅度提高成像分辨率图6表2参15(李瑞琴).,小林张明生(上海交通大学信息存储研究中心上海.,(20030))陈益新(上海交通大学应用物理系上海.丁N30572000053`70.,0))-(2003王宗光(上海交通大学应用化学系上海onphe激光光刻中的超分辨现象研究~Resaecrh,(200030))1999(3)58一64-/微细加工技术一一nomenonofsuper一resolutioninlaserlithogra介绍了一种新近产生的被称
3、为自由空间微光学平,,,phy〔刊中〕/沈亦兵杨国光侯西云(浙江大学现代光。台(FS一MOS)的三维空间集成光学系统并提出了一.,学仪器国家重点实验室浙江杭州(31027)/光学学2、种用二氧化硅(S10)作光学材料光刻胶和溅射铜(C的,报199919(11)1512一1517、e一一薄膜作牺牲层电镀铁镍(FiN)作支撑结构的制作自由。导出了会聚的高斯光束用于激光光刻时在光刻胶空间微光学元件的新工艺研制成功了多种与基底相垂,.内的光场近似分布形式由此可判断出能光刻线条的分直的三维位相型微光学元件图7参14(郑锦玉)。,辨力若入射高斯光束受到振
4、幅或相位调制时胶层内,的光强分布将发生变化从而影响曝光线条的线宽和质丁N30572000053`66.,,投影光刻中相位光栅对准信号计算的新模型一Anew量计算看出当入射光中心环受到遮拦时可以得到超.,过光刻物镜极限分辨的线条宽度(06产m)但此时对哪modelforalignmentsignalanalysisofphase。-光能量控制要求很高在激光直接写入系统上的曝光试gratingalignmentsysteminProeetionlithograj。验结果与理论计算相符图8参4(严寒).,phy〔刊中卫陈敏麒(中科院上海冶金所微电子
5、分部,200233))199927(7)82一85上海(/电子学报.一一TN30572000053幻l-对分步重复投影半导体光刻机相位光栅对准信号光电反馈式静电悬浮与静电悬浮力测定~Electr。,,作了详细的分析提出了更加合理精确的计算模型并stats己suspensionbasedonoptroniefeedbaek。与其他的实验数据作初步比较图7参6(李瑞琴),aneasureentoeeetrostateoreesdmmflif[刊中〕/.,.吴兰黄峰(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙TN30572000053667,,IRCCD
6、江杭州(310027))/光子学报199928(8)692一面阵摄像芯片用折射微透镜阵列的离子束刻蚀一一695ilieonmierolensarraysfabrieatedb}1ion制作一S,,提出光电反馈式静电悬浮的新方法简要讨论静电eaetengtoIRCCDFPAdevieesbmhi[刊中〕/张、,,,,悬浮的原理装置及其光电反馈控制过程采用铝片和新宇易新建何苗赵兴荣(华中理工大学光电子工程,CD光盘.测定了不同静电电压和不同悬浮,,作为悬浮体系湖北武汉(430074))/电子学报299927(8)一一,,,间距时的静电悬浮力揭示了
7、它们之间的相互关系结135一136125,果显示这两种悬浮体均可获得足够的静电悬浮力证明采用氢离子束刻蚀制作与一种128x128元Ris。4,了静甩悬浮的可行性图参6(李士范)IRCCD摄像芯片匹配的单片硅折射微透镜阵列给出了硅折射微透镜阵列的表面探针和扫描电子显微镜测.30572000053`,2。TN试结果图6参7(李瑞琴)or激光直接写人系统中的光功率稳定控制~Cntolofstaznaseroernaserreetrn.biliiglPwildiwittigTN30572000053668s,,,深亚微米光刻技术=Deepsubmie
8、ronIithographys周光亚刘玉玲(浙江大学光ysetm[刊中〕/沈亦兵.,,,teehnology(河北学仪器国家重点实验室浙江杭州(310027”/仪器
