14章 题库——半导体器件+答案

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1、第14章半导体器件一、填空题1、PN结的单向导电性指的是_____________________。2、硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为____V和____V。3、晶体三极管有两个PN结，分别是_____和_____，分三个区域_____、_____和_____。晶体管的三种工作状态是________、________和_________。4、一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于______状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于______状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为_______状

2、态。5、物质按导电能力强弱可分为______、______和______。6、本征半导体掺入微量的三价元素形成的是____型半导体，其多子为_____。7、某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为_____极，管脚“2”为_____极，管脚“3”为_____极，且属于____材料_______型三极管。8、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的_______区。9、导电性能介于______与_______之间的叫半导体。10、将______封装起来并加上_______

3、就构成了半导体二极管。11、PN结正向偏置时_____，反向偏置时______，这种特性称为PN结的_____，但是当硅材料的PN结正向偏压小于______，锗材料的PN结正向偏压小于______时，PN结仍不导通，我们把这个区域叫______。12、最常用的半导体材料有______和______。13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管______，又有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管________。14、从二极管P区引出的电极为_______，N区引出的电极为______。15、将二极管的正向电阻与反向电阻比较，相差越_____

4、_，导电性_____。16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为__________现象。17、N型半导体中多子是______，是通过掺入_____价元素后形成的掺杂半导体。18、用一只万用表不同的欧姆档分两次测得某个二极管的电阻分别为250Ω和¥，产生这种现象的原因是_______________________。19、测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为5V、4.3V、9V，则可判断出x、y、z分别为三极管的_______极、_______极、________极，此管为_______

5、管。（填“NPN”或“PNP”）20、P型半导体中多子是、少子是。21、在二极管整流电路中，主要是利用二极管的_____________________特性。22、已知某放大状态的晶体管的β＝50，现测得其IE＝2mA，忽略ICEO，则IB为mA。23、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、或已损坏）。（A为锗材料，BC为硅材料）A处于；B处于；C处于。24、PN结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流（填“大于”或“小于”），耗尽层变_______（填“宽”或“窄”）。25、

6、下图14-1-25中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，其中最亮的灯是灯。图14-1-2526、测得某NPN管的VBE＝0.7V，VCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。27、当PN结反偏时，外加电场与内电场方向相，使空间电荷区宽度变。28、测得放大电路中某三极管的三个管脚A、B、C的电位分别为6V、2.2V、2.9V，则该三极管的类型为______，材料为______，并可知管脚______为发射极。29、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20µA，则它的集电极电流等于______mA。二、选择题1、判断下图14-2-1

7、所示电路中各二极管是否导通，并求A，B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。正确的答案为。图14-2-1A．D1导通、D2截止、UAB=-7.3VB．D1截止、D2导通、UAB=-4.3VC．D1导通、D2导通、UAB=-7.3VD．D1截止、D2截止、UAB=12V2、稳压管在电路中能起到稳压作用，它应该工作于状态。A．正向导通B．反向截止C.反向击穿D.不能确定3、把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到硅二极管两端，则________。A.电流为零B.电流基本正常C.击穿D.被烧坏4、二极管两端加正向电压时________。A.一定导通B.

8、超过死区电压才导通C.超过0.7V导通D.超过0.3V才导通5、如图所示，处于正