半导体器件(附答案).doc

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1、.第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN结加正向电压时，空间电荷区将________A.变窄B.基本不变C.变宽2．设二极管的端电压为u，则二极管的电流方程是________A.B.C.3．稳压管的稳压是其工作在________A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区4．时，能够工作在恒流区的场效应管有________A.结型场效应管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管5．对PN结增加反向电压时，参与导电的是________A.多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量__

2、___A.增加B.减少C.不变7．用万用表的R×100Ω档和R×1KΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果______A.相同B.第一次测量植比第二次大C.第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于____A.高频检波电路B.工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是：____A.2CZ11B.2CP10C.2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为。若其他参数不变，当温度上升到40℃，则的大小将____A.等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管

3、用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有_____A.两种B.三种C.四种12．在图中，稳压管和的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压为_____A.6VB.7VC.0VD.1V..13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（）A.两种B.三种C.四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于__（1）__，而少数载流子的浓度与__（2）__有很大关系。（1）A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷（2）A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷15．当PN结外加正向电压时，扩散电流__（1）__

4、漂移电流，耗尽层__（2）__，当PN结外加反向电压时，扩散电流__（3）__漂移电流，耗尽层__（4）__。（1）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变（2）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变（3）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变（4）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.6所示，你认为哪一个二极管的性能最好？表1.6管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流哪个性能好？甲0.5mA1uA（）乙5Ma0.1uA（）丙2mA5uA（）A.甲B

5、.乙C.丙17.一个硅二极管在正向电压时，正向电流。若增大到0.66V（即增加10%），则电流________A.约为11mA（也增加10%）B.约为20mA（增大1倍）C.约为100mA（增大到原先的10倍）D.仍为10mA（基本不变）18.在如下图所示的电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整V1=10V，则电流的大小将V1=5V是________。A.I=2mAB.I〈2mAC.I〉2mA21.在P型半导体中，多数载流子是_（1）_，在N型半导体中，多数载流子是_（2）（1）A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴（1

6、）A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴23.本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。A.自由电子数目增加，空穴数目不变B.空穴数目增加，自由电子数目不变C.自由电子和空穴数目等量增加24.N型半导体__（1）__，P型半导体__（2）__。（1）A.带正电B.带负电C.呈电中性（2）A.带正电B.带负电C.呈电中性..26.PN结外加反向电压时，其电场________。A.减弱B.不变C.增强27.PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。A.大于B.小于C.等于28.在本征半导体中加入__（

7、1）__元素可形成N型半导体，加入__（2）__元素可形成P型半导体。（1）A.五价B.四价C.三价（2）A.五价B.四价C.三价29.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_________A.增大B.不变C.减小30.工作在放大区的某三极管，如果当从12μA增大22μA时，从1mA变为2mA，那么它的β约为__________A.83B.91C.10031.硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_

8、____V时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。（1）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V（2）A.0.7VB.0.2V