半导体器件作业-有答案

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1、1．半导体硅材料的晶格结构是（A）A金刚石B闪锌矿C纤锌矿2．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（C）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体3．硅单晶中的层错属于（C）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷4．施主杂质电离后向半导体提供（B），受主杂质电离后向半导体提供（A），本征激发后向半导体提供（AB）。A空穴B电子5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（A）A直接复合B间接复合C俄歇复合6．衡量电子填充能级水平的是（B）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级D缺陷能级7．载流子的迁移率是描述载流子(A)的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子(B)的一个物理量。A在电场作用下的运动快慢B在浓度梯度作用下的运动快慢8．室温

2、下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（B），空穴浓度为（D），费米能级（G）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（F），少子浓度为（F），费米能级（I）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K时，ni≈2×1017cm－3）A1014cm－3B1015cm－3C1.1×1015cm－3D2.25×105cm－3E1.2×1015cm－3F2×1017cm－3G高于EiH低于EiI等于Ei9．载流子的扩散运动产生（C）电流，漂移运动产生（A）电流。A漂移B隧道C扩散10.下列器件属于多子器件的是（BD

3、）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管D隧道二极管11.平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np

4、（C）A．较厚B．较薄C．很薄16．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（A）。A．展宽B．变窄C．不变17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（C）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。A钝化工艺B退火工艺C掺金工艺18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（B）。A饱和电压B击穿电压C开启电压19．真空能级和费米能级的能值差称为（A）A功函数B亲和能C电离电势20.平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（A）A发射区B基区C集电区21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（A）AP沟道增强型BP沟道耗尽型

5、CN沟道增强型DN沟道耗尽型二、判断题（共20分，每题１分）１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。７．（√）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。10．（√）MOS型的集

6、成电路是当今集成电路的主流产品。１１．（√）平衡PN结中费米能级处处相等。１２．（√）能够产生隧道效应的PN结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。１３．（√）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。１４．（√）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。１５．（√）高频下，pn结失去整流特性的因素是pn结电容１６．（×）pn结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。１７．（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。１８．（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是

7、钠离子。１９．（×）制造MOS器件常常选用[111]晶向的硅单晶。２０．（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。三、名词解释(共15分，每题5分，给出关键词得3分)1．雪崩击穿随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载