国际半导体技术发展路线图（itrs）2012版综述（2）

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1、J巾国集成电路L产业发展ChinaIntegratedCircuit田术Il=ITRS)2012鞭缘遗Il=2)解沛轩译，郭新军2校(1．清华大学自动化系，北京，100084)(2．工业和信息化部电子科学技术情报研究所，北京，100040)32012年ITRS新内容大型内核的门电路数量、内核平均尺寸和内核数量——技术工作组总结细微的变化进行了许多调整。同时也更正了一些运算错误。●在射频列表中反映了无线电端口数量的增3．1系统驱动与设计加，这与无线通信取代有线连接的事实相吻合。表3为主要产品市场以及对系统驱动的影响。3．2．1展望2013年表4为总体设计技术的挑

2、战。由于3D器件已经成为测试路线图的主要驱动力，2013年版本中将添加3D测试问题和潜在的解3．2测试及测试设备决方案。图像传感器晶圆测试标准也计划在2013年2012年路线图测试列表中没有重大改动，但增添加到探针板列表中。加了一些参数，并对表格进行了一些调整：表5为关键测试驱动力、挑战和机遇的总结。●DRAM性能的非晶圆并行测试已及时调整为伞品网测试。450mm晶圆生产预计于2017年开始。3．3工艺集成，器件与结构DRAM的速度性能测试已被加入到2012年探针卡3．3．1总结列表；但2012年并行性能测试被限制在32个芯片，这部分在更新中只做了小幅修改。它

3、们总结在并将及时提高到64个芯片并行性能测试。对应章节的末尾。●MPU，NAND和LCD的探测力和晶片性能探逻辑电路测参数已加入到2012年探测列表。所有逻辑电路方面技术没有做修改，即高性能，●DFT表已经同最新研究成果同步，并将一些低操作功耗，低待机功耗和III／V一锗沟道技术。改进延后到路线图中晚些年份。存储器的可测试性动态随机存储器设计曾经被错误地从存储器列表中除去，现已补上。仅有的改动发生在动态随机存储器单元场效应●逻辑列表在2011年彻底重建，包括参照平板晶体管结构转化为垂直通道晶体管，和单元尺寸因扫描所建测试架构中测试数据容量的影响。现在逻数从6F

4、转化到4F。两者都延后了一年，从2013年辑列表中的大多数内容都是基于模型的，并依据最由国集成电路产业发展—ChinaIntegratedCircuit表3主要产品市场以及对系统驱动程序的影响市场驱动soc模拗混合信sMPU1．便携客户1．尺寸，重晕比：声音处理、A／D采样、特制内核用以优化每微20o4年峰值低功耗极为重要至一些射频收发器的功能瓦功耗的处理能力都正移植到芯片2．电池寿命：2004年峰值3．功能：2x／2年需要SOC集成(DSP，MPU,I／O核等)4．疑产的时间：专用标准产品(ASAP)l1．医疗卫生仅高端产品。支持可编程。要是1．成本：轻微下

5、调的压力ASSP，尤其是痫患数据存储干¨远程医绝对必要的物理测最和响i‘编程性中经常使用，(每5年一1／2)疗；更多面向高端数宁产品的具有成应，但可能不被集成存芯特别足存实时能不重像片上叟的时候、实时诊断等IP核的SOC。近期在多核处理器中的2．量产的时间：>12个月进腱使得可编程性与实时性能成为可能3．功能：新的芯片级功能4．外形尺寸通常小重要5．耐久性／安全性6．环保／生态ll1．网络s通信多信复用(Mux)／解复1MP【lJ卡炙，FPGA核及某．带宽：4x／3．4年火掣门数量用(DEMUX)}乜路：阳芯片上移植川功能2．可靠性高可靠性3．量产的时问：快更

6、强可编程性以满足自定义功能需求MEMS光学丌火4肩B耗：系统中W／m到2014年。(表PIDS7)。其它非挥发性存储器非挥发性存储器未作改非挥发性存储器动。仅有对FeRAM(铁电随机存储器，表PIDS8b)可靠性的改动。以下是主要改动：这一部分没有修改。●新节点将提前1-2年被引入所有相关表格同2011年保持一致。●单元尺寸增加3．3．2期待2013年●电容有效面积和封装数据增加。电容结构从主要改动发生在逻辑部分。我们计划对晶体管叠层式到3D的转变从2017年推迟到2021年性能做出预测。计算机辅助设计技术建模将加入到●电容电压增加基于模型影响的MASTAR中

7、。此外，由于电路时钟●最小开关电荷减小频率的近期年均增幅放缓，晶体管速度和I／CV的年httn．Ilww~r：ir：mznnL一产业发展巾国集成电路ChinaIntegratedCircuit表3主要产品市场以及对系统驱动程序的影响(续)市场驱动系统级芯片模劫混合信号徽处理器I防务大多数情况下要充分利用现有的处理在可编程性中经常使用，1．成本：1F首要关注器，但某些需求会驱动可编程甲．芯片设物理测量与响应的绝对需特别在实时性不重要的计求，但未必集成在芯片上时候2．量产的时问：>12个月3．功能：多数面向短波，近期在多核处理器中的以满足科技曲线进展使得可编程性与

8、实时性能成为可能4．外形尺、j可能重要