-模电期未自测练习--填空、选择题(A).doc

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1、模电自测练习题（A）－选择、填空题模电自测练习--填空、选择题（A）======二极管=======*******（填空题）********1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型

2、区接电源的负极。P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为N型半导体

3、与P型半导体。N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。半导体中的空穴带正电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，

4、其工作温度较低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。*********（选择题）***********1. P型半导体中的多数载流子是 B，N型半导体中的多数载流子是A。         A.电子     B.空穴 C.正离子     D.负离子2.杂质半导体中少数载流子的浓度 C本征半导体中载流子浓度。   A.大于    B.等于    C.小于3.室温附近,当温度升高时,杂质半导体中C浓度明显增加。         A.载流子     B.多数载流子    C.少数载流子4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。

5、A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷5．PN结形成后，空间电荷区由(D)构成。A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子6.硅二极管的正向导通压降比锗二极管A，反向饱和电流比锗二极管B。 A.大   B.小   C.相等7.温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B，反向电流A。         A.增大    B.减小    C.不变8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。A．减小B．基本不变C．增大9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。A．增大B．基本不变C．减小10．变容二极管在电路中主要用作(

6、D)。A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器11．当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（A）。A.多数载流子;B.少数载流子;C.既有多数载流子又有少数载流子12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C）。A.正常;B.已被击穿;C.内部断路13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B）。A.正常;B.已被击穿;C.内部断路14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。A.增大；B.减小；C.不

7、变16．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关9模电自测练习题（A）－选择、填空题====三极管====1．晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。硅管以NPN型居多，锗管以PNP型居多。2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO增大，导通电压UBE减小。5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1

8、mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为99。6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、P