模电半期练习

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1、《模电》半期练习一、单项选择题1、稳压二极管是利用二极管的()特性。A.反向击穿B.反向截止C.正向导通D.单向导电2、三极管处于饱和工作状态的外部条件是()。三极管处于正常放大工作状态的外部条件是()三极管处于截止工作状态的外部条件是()A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结反偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏3、共模抑制比是衡量()。A.对差模信号的放大能力B.对共模信号的放大能力C.放大差模信号抑制共模信号的综合能力D.放大共模信号抑制差模信号的综合能力4、通常希望放大电路有()。A

2、.较高的输入阻抗,较高的输出阻抗B.较低的输入阻抗,较低的输出阻抗C.较高的输入阻抗,较低的输出阻抗D.较低的输入阻抗,较高的输出阻抗5、根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是:A通用型B高阻型C高速型D低功耗型E高压型F大功率型G高精度型(1)作低频放大器,应选用()。(2)作宽频带放大器,应选用()。(3)作幅值为1μV以下微弱信号的测量放大器,应选用()。(4)作内阻为100kΩ信号源的放大器,应选用()。(5)负载需5A电流驱动的放大器,应选用()。(6)要求输出电压幅值为±

3、80V的放大器,应选用()。(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用()。6、互补输出级采用共集形式是为了使()。A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强D、稳定放大倍数7.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A.增大B.减小C.先增大后减小D.先减小后增大8、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么该三极管β约为()。A.50B.100C.150D.2009、直接耦合放大电路存在零点漂移的最主要的原因是()。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.

4、晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定10、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。A.便于设计B.易于放大交流信号C.不易制作大容量电容D.各级电路之间不会互相影响11、差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的()。A.差B.和C.平均值D.乘积12、集成运放制造工艺使得同类半导体管的()。A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好D.制造过程简便二、填空题1、P型半导体内的多子是,少子是。N型半导体内的多子是,少子是。本征半导体的载流子是,导体中的载流子是。2、PN结加正向电压时,空间电荷区将。PN结加

5、反向电压时,空间电荷区将。3、设差分放大电路两个输入端的交流信号有效值为10和8,则差模信号是,共模信号是。4、NPN型共射放大器输出波形的正半周(波峰)削顶了,则该NPN型共射放大器产生的失真是失真,若输出波形负半周(波谷)失真,则称为失真。8、选用差分放大电路的原因是。9、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,通过加入价元素可形成P型半导体。10、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到32μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。11、扩散电流的大小由决定;漂移电流的大小由决定12、集成运放一

6、般由、、、这四部分电路组成14、复合晶体管中的第一支管为PNP型,β1=80,第二支晶体管为NPN型,β1=50,则该复合晶体管的β=,类型为型。15、若第一级放大电路为共射放大电路,放大倍数100,第二级为共集放大电路,放大倍数0.99,则组成的二级放大电路的放大系数Au=。16、若第一级放大电路为共射放大电路,放大倍数50,第二级也为共射放大电路,放大倍数80,则组成的二级放大电路的放大系数Au=。17、通用型集成运放的输入级通常为电路,中间级为电路,输出级为电路。18、温度升高,二极管正向特性曲线向移,温度升高,

7、反向特性曲线向移温度升高,三极管输入特性曲线向移动,温度升高,三极管输出特性曲线向移.(请选择上、下、左、右填入)三、判断题(对画√,错画×)1、本征半导体的导电性很好,是制作二极管、三极管元件的基本材料。()2、半导体中多子的浓度受温度影响很大;()3、少子的浓度取决于温度。()4、二极管加反向电压时,始终保持不导通状态。()5、二极管两端加正向电压且导通时,它的动态电阻随正向电流增加而变大()6、二极管两端加反向电压且工作于反向击穿区时,它的动态电阻很小()7、放大电路的输入电阻越大越好()。放大电路的输出电阻越小

8、越好()。8、NPN共射放大电路,由于IB失真引起的输出波形失真为波峰失真(),被称为截止失真。()9、NPN共射放大电路,由于IC失真引起的输出波形失真为波谷失真(),被称为饱和失真。()10、共集放大电路只能放大电流,无法放大电压。()11、阻容耦合不适用于传递缓慢变化的信号。()12、晶体管的特性对温度敏感是产生零点漂移的主

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