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时间:2018-07-20
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1、模电自测练习题(A)-选择、填空题模电自测练习--填空、选择题(A)======二极管=======*******(填空题)********1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。PN结在正偏时导通,反偏时截止,这种特性称为单向导电性。PN结具有单向导电性能,即加正向电压时,PN结导通,加反向电压时,PN结截止。导通后,硅管的管压降约为0.7V,锗管约为0.2V。2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载
2、流子是空穴。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极,N型区接电源的负极。P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。8.硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7.光电二极管能将光信号转变为
3、电信号,它工作时需加反向偏置电压。8.半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。N型半导体主要靠电子来导电,P型半导体主要靠空穴来导电。半导体中的空穴带正电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动,促进少数载流子的漂移运动。10.晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。11.晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类,按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管,整流二极管;稳压二极管;开关二极管,
4、变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容小,可用于高频和超高频的场合;面接触型晶体二极管因其接触面积大,可用于大功率的场合。13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的,其工作温度较低。2CP、2CZ系列晶体二极管是硅材料做成的,其工作温度较高。*********(选择题)***********1. P型半导体中的多数载流子是 B,N型半导体中的多数载流子是A。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子2.杂质半导体中少数载流子的浓度 C本征半导体中载流子浓
5、度。 A.大于 B.等于 C.小于3.室温附近,当温度升高时,杂质半导体中C浓度明显增加。 A.载流子 B.多数载流子 C.少数载流子4.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(C)。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷5.PN结形成后,空间电荷区由(D)构成。A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子6.硅二极管的正向导通压降比锗二极管A,反向饱和电流比锗二极管B。 A.大 B.小 C.相等7.温度升高时,二极管在正向电流不变的情
6、况下的正向电压 B,反向电流A。 A.增大 B.减小 C.不变8.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B)。A.减小B.基本不变C.增大9.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将(C)。A.增大B.基本不变C.减小10.变容二极管在电路中主要用作(D)。A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器11.当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是(A)。A.多数载流子;B.少数载流子;C.既有多数载流子又有少数载流子12.如果晶体二极管的正、反向电阻都很大,则该
7、晶体二极管(C)。A.正常;B.已被击穿;C.内部断路13.如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该晶体二极管(B)。A.正常;B.已被击穿;C.内部断路14.晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处于(A)。A.反偏,B.正偏,C.零偏15.当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将(A)。A.增大;B.减小;C.不变16.在晶体二极管特性的正向区,晶体二极管相当于(B)。A.大电阻;B.接通的开关;C.断开的开关9模电自测练习题(A)-选择、填空题====三极管=
8、===1.晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。硅管以NPN型居多,锗管以PNP型居多。2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。4.当温度升高时,晶体管的参数β增大,ICBO增大,导通电压UBE减小。5.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10μA变化到20μA时,集电极电流从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数β约为99。6.某晶体管的极限参数ICM=20mA、P
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