某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf

某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf

ID:52488573

大小:462.92 KB

页数:3页

时间:2020-03-28

某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf_第1页
某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf_第2页
某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf_第3页
资源描述:

《某电厂次次末级叶片断裂原因分析.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第35卷第6期黑龙江冶金V01.35No.62015年12月HeilongjiangMetallurgyDecember2O15某电厂次次末级叶片断裂原因分析陈啸,张小伍,李兴东(1.哈尔滨创新投资有限公司,哈尔滨150001;2.哈尔滨汽轮机厂有限责任公司)摘要:某电厂检修时发现次次末级叶片在叶根第一齿处出现裂纹,通过断口特征分析、材质理化检验、硬度及受力分析等对叶片裂纹产生原因进行分析。最终得出结论:裂纹源萌生于叶根齿面圆弧过渡区的应力集中区,机械打磨形成的缺口是形成疲劳裂纹的主要原因。关键词:次次末级叶片;疲劳断裂;应力集中Fractureanalysisoftheseco

2、ndlaststagebladeofapowerstationChenXiao,ZhangXiaowu,LiXingdong(1.HarbinVentureCapitalCompanyLimited,Harbin,150001China;2.HarbinTurbineCompanyLimited)Abstract:Whenapowerplantoverhauling,itfoundthatthesecondlaststagebladecrackedinthefirstteethofthebladeroot.Throughthecharacteristicsoffracture,m

3、aterialphysicalandchemicalin-spection,hardnesstestandforceanalysis,theresultsshowthatthesourceofcrackinitiatedinthear_eaofstressconcentrationoftoothsurfacearctransitionalareainthebladeroot.Andthemainreasonoftheformationoffatiguecrackwasthegapthatformedbymechanicalgrinding.KeyWords:thesecondla

4、ststageblade,fatiguefracture,stressconcentration尖角,是单疲劳源,在裂纹扩展区有清晰海滩花1事故调查样⋯,叶片的断面已氧化,叶片断面上有发蓝的现某电厂机组在检修过程中发现次次末级叶片象。在叶根第一齿处出现裂纹,裂纹起始于叶根出汽边内弧侧第一齿的圆弧过渡区根部,向出汽边方向扩展,叶片扩展区在背弧侧,长度约为62ram,内弧裂纹长度约为90mm。叶片的材质为0Cr17Ni4Cu4Nb。在完成叶片开裂情况的整体检查工作后,将这只叶片解剖,做断口分析和材质分析。2断口分析图1叶片的宏观断口照片2.1断口宏观分析将断裂叶片进行解剖观察断口形貌

5、,断口的2.2断口微观分析宏观照片如图1所示,叶片叶根各个齿面的边缘在扫描电子显微镜下观察叶片裂纹断面,断都有去尖角修圆的痕迹,但很不规则,个别地方形口裂纹源区和扩展区的微观形貌见图2。如图2成小缺口,叶片裂纹起始处的修圆效果不好,留有(a)所示,断口有发散,收敛到断口尖角处,断口尖收稿日期:2015—12—12作者简介:陈啸(1985一),女,毕业于哈尔滨工业学材料学院,工程师。21第6期黄双龙:NiO—SnO:纳米材料对H:的气敏特性岫盘0ng0∞懈=2960ObH,式中k,b为常数,C为被测气体的浓度,n为幂指数,通常在0.5—1.0之间。所以5mo1%NiO—SnO气敏元

6、件和SnO气敏元件对H:的响应值与H:浓度的关系中,II=l。3结论(1)600焙烧2h所得NiO—SnO2粉体的衍射峰更加尖锐,说明该粉体具有很好的结晶度,可以用作气敏材料。(2)在400~C工作温度下,5mo1%NiO—SnO2Time(s)气敏元件比SnO气敏元件具有更高的灵敏度、更短的响应恢复特性以及更好的稳定性。图4SnO:基气敏元件在400~C不同H2(3)在浓度特性方面,5mo1%NiO—SnO气敏浓度下的响应曲线元件和SnO气敏元件都呈现良好的线性关系,并且5mo1%NiO—SnO气敏元件具有更好的线性相3330关度。27参考文献24[1]KimHJ,LeeJH.

7、Highlysensitiveandselectivegassen—21莹18SOtSusingP—typeoxidesemiconductors:Overview[J].15SensorsandActuatorsB,2014,192:607—627.l2[2]LvP.Studyonamicro—gassensorwithSnO2一NiOsen—96sitivefilmforindoorformaldehydedetection[J].Sensors3andActuatorsB,

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。