优化实施方案2017版高考化学大一轮复习第三讲晶体结构与性质(精).ppt

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1、第三讲　晶体结构与性质选修3物质结构与性质[2017高考导航]考纲要求真题统计命题趋势1.理解离子键的形成,能根据离子化合物的结构特征解释其物理性质。2．了解原子晶体的特征,能描述金刚石、二氧化硅等原子晶体的结构与性质的关系。3．理解金属键的含义,能用金属键理论解释金属的一些物理性质。了解金属晶体常见的堆积方式。4．了解分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体的结构微粒及微粒间作用力的区别。5．能根据晶胞确定晶体的组成并进行相关的计算。6．了解晶格能的概念及其对离子晶体性质的影响。2015，卷Ⅰ37T(4)(5)；2015，卷Ⅱ37T(5)；2014

2、，卷Ⅰ37T(3)(4)；2014，卷Ⅱ37T(4)(5)；2013，卷Ⅰ37T(3)；2013，卷Ⅱ37T(3)高考对本部分的考查主要从两个方面切入：(1)关于晶胞的计算。(2)晶体微粒间的相互作用力以及物理性质的比较。预计2017年高考将主要考查晶体类型、四种晶体的区别、晶体的结构特点以及晶胞的相关计算。题型以非选择题为主，分值约为4分。选修3物质结构与性质一、晶体1．晶体与非晶体晶体非晶体结构特征结构微粒_____________排列结构微粒_________排列周期性有序无序晶体非晶体性质特征自范性__________________熔点_

3、_________________异同表现_______________________二者区别方法间接方法看是否有固定的_________科学方法对固体进行______________实验有无固定不固定各向异性各向同性熔点X射线衍射2.得到晶体的途径(1)熔融态物质凝固。(2)气态物质冷却不经液态直接____________。(3)溶质从溶液中析出。3．晶胞(1)概念描述晶体结构的_________。(2)晶体中晶胞的排列——无隙并置a．无隙：相邻晶胞之间没有_________。b．并置：所有晶胞_________排列、_________相同。凝

4、固(凝华)基本单元任何空隙平行取向4．晶格能(1)定义：气态离子形成1摩离子晶体释放的能量,通常取正值，单位：_________。(2)影响因素①离子所带电荷数：离子所带电荷数越___,晶格能越大。②离子的半径：离子的半径越____，晶格能越大。(3)与离子晶体性质的关系晶格能越大，形成的离子晶体越_______，且熔点越______，硬度越_________。kJ·mol－1多小稳定高大二、四种晶体类型的比较类型比较分子晶体原子晶体金属晶体离子晶体构成粒子分子原子金属阳离子、自由电子阴、阳离子粒子间的相互作用___________(某些含氢键)共

5、价键金属键离子键硬度较小很大有的很大，有的很小较大熔、沸点较低很高有的很高，有的很低较高范德华力类型比较分子晶体原子晶体金属晶体离子晶体溶解性相似相溶难溶于任何溶剂难溶于常见溶剂大多易溶于水等极性溶剂导电、传热性一般不导电，溶于水后有的能导电一般不具有导电性电和热的良导体晶体不导电，水溶液或熔融态导电类型比较分子晶体原子晶体金属晶体离子晶体物质类别及举例大多数非金属单质、气态氢化物、酸、非金属氧化物(SiO2除外)、绝大多数有机物(有机盐除外)部分非金属单质(如金刚石、硅、晶体硼)、部分非金属化合物(如SiC、SiO2)金属单质与合金(如Na、Al

6、、Fe、青铜)金属氧化物(如K2O、Na2O)、强碱(如KOH、NaOH)、绝大部分盐(如NaCl)三、晶体熔、沸点的比较1．不同类型晶体熔、沸点的比较(1)不同类型晶体的熔、沸点高低的一般规律：_________>_________>_________。(2)金属晶体的熔、沸点差别很大,如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。原子晶体离子晶体分子晶体小短大高>>(2)离子晶体①一般地说,阴、阳离子的电荷数越____，离子半径越____，则离子间的作用力就越_____，其离子晶体的熔、沸点就越_____，如熔点：MgO_________MgC

7、l2_________NaCl________CsCl。②衡量离子晶体稳定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的离子晶体越________，熔点越_________，硬度越_________。多小大高>>>稳定高大高>>>大>>>一、典型晶体模型晶体晶体结构晶体详解原子晶体金刚石(1)每个碳与相邻4个碳以共价键结合，形成正四面体结构(2)键角均为109°28′(3)最小碳环由________个C组成且六原子不在同一平面内(4)每个C参与4条C—C键的形成，C原子数与C—C键数之比为_________61∶2晶体晶体结构晶体详解原子晶体SiO2(1)

8、每个Si与4个O以共价键结合，形成正四面体结构(2)每个正四面体占有1个Si，4个,n(Si)∶n(O)＝1∶2(3)最小