化学沉铜介绍.ppt

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1、孔金属化目的：在基材表面沉积导电层，实现层　　　　　　间电气连接化学沉铜（ElectrolessCopper)ＰＴＨ：ＰlatingThroughHoles生产流程刷板去钻污处理化学沉铜刷板目的：1.去孔口毛刺2.板面清洁去钻污处理目的:1.去除内层铜箔残留的钻污,保证结合良好.2.改善孔壁结构,加强结合力.工艺流程:溶胀去钻污中和溶胀(Swelling)目的:使树脂表面膨胀,降低分子键能,利于去钻污反应的进行.工艺控制:温度60-80°C时间5-10min去钻污(Desmearing)目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去反应原理:MnO4

2、+C+OHMnO42-+CO2+2H2O副反应:MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2OMnO42-+H20MnO2+O2+2OH-工艺控制:温度75-85°C时间10-20min中和（Reducing)目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、MnO2还原工艺控制：温度40-50°C时间4-8min化学沉铜工艺流程：调整微蚀预浸催化加速沉铜调整（Conditioner)目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的吸附工艺控制：温度45-55°C时间4-8min微蚀（MicroEtch)目的：1.清洁板面2.板面形成粗糙结构,保证沉铜层与

3、基材铜的结合力.反应原理:Cu+Na2S2O8CuSO4+Na2SO4工艺控制：温度25-35°C时间1-3min预浸(Predip)目的:防止前工位处理对催化槽的污染工艺控制：温度常温时间1-2min催化（Ｃatalyst）目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂钯胶体（Ｐd[SnCL3]n-)工艺控制：温度40-45°C时间4-6min钯胶体的水解：Ｐd（SnCL３）－＋Ｈ２ＯＰd+Sn(OH)2+Sn(OH)4+CL-加速（Ａccelerator)目的：将钯Ｐd周围的Ｓn沉积物除去工艺控制：温度2０-3０°C时间３-５min反应原理：Sn(OH)2+

4、Sn(OH)4+Ｈ-Sn2++Sn4++H2O化学沉铜（ＥlectrolessCopper)反应原理：Cu2++2HCHO+4OH-PdCu+2HCOO-+2H20+H2反应特点：１.自身催化反应２.一定时间内沉积一定厚度的铜层工艺控制：温度３０-3５°C时间１４-１６min化学沉铜（ＥlectrolessCopper)主要副反应：Cu2++HCHO+OH-Cu２O+HCOO-+H20Cu２O+H20Cu+Cu2++OH-HCHO+OH-HCOO-+CH3OH解决方法：１.维持鼓气２.加强过滤３.周期性维护沉铜槽品质控制１.背光检查：要求８级２

5、.沉铜厚度：０.３－０.５um３.去钻污厚度：０.２－０.２５mg/cm2４.层间结合：热冲击实验、金相切片问题及设备加工能力问题：１.孔内无金属２.孔壁粗糙３.层间分离加工能力：１.加工尺寸：２４“*４０”、板厚０.８－３.２mm、板厚孔径比１０：１２.最大加工产能３５０００m2/月化学沉铜工艺分类催化剂分类：１.胶体钯Ｐd（SnCL３）－２.离子钯Ｐd2+沉铜厚度分类：１.沉薄铜（０.３－０.５um）２.沉厚铜（１.２－２.５um）化学沉铜存在的缺点１.溶液中含有ＥＤＴＡ，废水处理难．２.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物质不利于健康．３.氧化还原反应，

6、过程控制难．直接电镀特点：１.不含ＥＤＴＡ、ＨＣＨＯ等２.反应为物理吸附过程，易控制。３.工艺流程简化４.适用于水平或垂直分类：１.Ｐd导电金属薄层２.导电高分子材料３.炭或石墨导电层钯系列常见工艺流程：（去钻污处理）整孔预浸催化加速硫化后处理微蚀供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等适用设备：水平线及垂直线导电性高分子系列常见工艺流程：（去钻污处理）整孔KMnO4氧化处理有机单体催化处理浸酸原理：C+KMnO4CO2+MnO2MnO2+吡咯导电性聚吡咯+Mn2+供应商：Atotech、Blasberg等适用设

7、备：水平线及垂直线碳黑系列常见工艺流程：（去钻污处理）清洁整孔黑孔化干燥微蚀准备微蚀水洗供应商：MacDermid、Electro-chemical等适用设备：水平线及垂直线