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时间:2020-03-10
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1、Array2016年8月12日WetEtch设备及工艺介绍课程内容介绍WetEtch科业务介绍WetEtch工艺介绍WetEtch设备介绍课程内容介绍WetEtch科业务介绍WetEtch工艺介绍WetEtch设备介绍1.WetEtch业务介绍-主工艺PhotoResistThinFilmGlassExposurePhotoMaskStripPRcoatingDevelopEtch(DE/WE)镀膜(Sputter/PECVD)InitialCleanAT&ARUVLightGlassThinFilmPhotoResist(PR)NextLayerW
2、etStripEtch(DE/WE)InitialCleanArray工艺流程图1.WetEtch业务介绍-担当设备WetEtchWetEtcherEMSWetStripperRMSInitialCleanerCSTCleanerRobotCassetteAPPlasma1.WetEtch业务介绍-岗位职责设备工艺Weare:设备与工艺工程师稳定运行确保(日常PM、运营监控、Part管理等)工艺优化(不良改善、工艺改进、成本降低等)WetEtch科业务介绍WetEtch工艺介绍WetEtch设备介绍WetEtch工艺介绍WetEtcher说明/分类/
3、原理/表征参数WetStripper原理InitialCleaner原理/表征2.WetEtch工艺介绍-WetEtcherWetEtcher说明利用酸性刻蚀液(Etchant)去除没有PR胶保护的膜层。主要适用于Al、Cu金属及合金膜层或ITO、IGZO等金属氧化物的刻蚀。针对不同金属或金属氧化物,需要使用不同的刻蚀液。刻蚀特性为各向同性。GlassFilmFilmPRPRPRWetEtcher与DryEtcher差异:WetEtcher:对应金属及金属氧化物膜如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Cu、Cu/Mox、Mo、ITO、IGZO、IZO等Dr
4、yEtcher:对应非金属膜及少数特种金属a-Si、SiNx、SiO2等非金属膜、Mo金属膜2.WetEtch工艺介绍-WetEtcherWetEtcher分类设备种类刻蚀液主要适用Metal主要成分AlWetEtcherAlEtchantMo/Al/MoHNO3+CH3COOH+H3PO4+AdditiveCuWetEtcherCuEtchantCu、Cu/MoNbH2O2+AdditiveITOWetEtcherITOEtchantITO、IGZOHNO3+H2SO4+H2O+Additive或H2SO4+H2O+Additive依据使用的Etc
5、hant(刻蚀液)种类,划分三种WetEtcher:AlWetEtcher、CuWetEtcher、ITOWetEtcher主要依据:Etchant腐蚀性(Part选择)、粘度(供给Pump能力)、喷淋方式(Nozzle)Part:有Al、Cu、ITO兼容对应PartPump:AlEtchant粘度高,Pump配置高;Cu、ITOEtchant相近,粘度低Nozzle:高低粘度Nozzle型号不同基于工艺需求及成本控制,选择最适合配置方式2.WetEtch工艺介绍-WetEtcherWetEtch原理Al刻蚀液:主要成分为HNO3+CH3COOH+H
6、3PO4+Additive其中HNO3为氧化剂,CH3COOH为缓冲剂,H3PO4用于溶解Al2O32Al+2HNO3=Al2O3+2NO+H2OAl2O3+2H3PO4=2AlPO4+3H2OCu刻蚀液:主要成分为H2O2+Additive其中双氧水为主反应剂,Cu+H2O2+2H+Cu2++2H2OAdditive:螯合剂、抑制剂、抗腐蚀剂等ITO刻蚀液:主要成分为HNO3+H2SO4+H2O+AdditiveIn2O3+6HNO32In3++6(NO3)-+3H2OIn2O3+6H2SO44In3++6(SO4)-+6H2OAdditiv
7、e为金属腐蚀抑制剂2.WetEtch工艺介绍-WetEtcherWetEtch表征参数EtchRateRequirementItemsUniformitySelectivityProfileCDBias2.WetEtch工艺介绍-WetEtcherWetEtch表征参数刻蚀率(EtchRate)即刻蚀速度,指单位时间内刻蚀膜层的速度。单位:Å/Min。(1nm=10Å)工艺参数不变时,E/R越大越好均一性(UniformityRate)体现刻蚀过程中刻蚀量或者刻蚀完成后的剩余量的差异性。均一性,越小越好,为WetEtch重点管控参数。Uniformi
8、ty=(Max-Min)(Max+Min)or2×Average×100%2.WetEtch工艺介绍-Wet
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