半导体霍尔效应实验

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1、东南大学材料科学与工程实验报告共页，第页东南大学材料科学与工程实验报告学生姓名徐佳乐班级学号12011415实验日期2014/9/4批改教师课程名称电子信息材料大型实验批改日期实验名称半导体霍尔效应实验报告成绩一、实验目的1、了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导。2、掌握霍尔系数和电导率的测量方法。3、通过测量数据的处理判别样品的导电类型，计算室温下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。二、实验原理霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用

2、来研究半导体的导电机制(本征导电和杂质导电)和散射机制(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的特性。1、霍尔效应和霍尔系数设一块半导体的x方向上有均匀的电流Ix流过，在z方向上加有磁场Bz，则在这块半导体的y方向上出现一横向电势差UH，这种现象被称为“霍尔效应”，UH称为“霍尔电压”，所对应的横向电场EH称为“霍尔电场”。霍尔电场强度EH的大小与流经样品的电流密度Jx和磁感应强度Bz的乘积成正比：式中比例系数RH称为“霍尔系数”。东南大学材料科学与工程实验

3、报告共页，第页半导体样品的长、宽、厚分别为l、a、b，半导体载流子（空穴）的浓度为p，它们在电场Ex作用下，以平均漂移速度Vx沿x方向运动，形成电流Ix。在垂直于电场Ex方向上加一磁场Bz，则运动着的载流子要受到洛仑兹力的作用该洛仑兹力指向-y方向，因此载流子向-y方向偏转，这样在样品的左侧面就积累了空穴，从而产生了一个指向+y方向的电场——霍尔电场Ey。当该电场对空穴的作用力qEy与洛仑兹力相平衡时，空穴在y方向上所受的合力为零，达到稳态。在稳态时，有：若Ey是均匀的，则在样品左、右两侧面间的电位差：而x方向的电流：由以上的式子得：所以对p型半导体：n型半导体：所以

4、RH的计算式：1、半导体电导率半导体电导率：电导率测试公式：结合电导率和霍尔系数的测量，可以计算载流子的迁移率：实验得出σ与温度T的关系曲线如图1.现在以p型半导体为例分析：（1）低温区。在低温区杂质部分电离，杂质电离产生的载流子浓度随温度升高而增加，而且μp在低温下主要取决于杂质散射，它也随温度升高而增加。因此，σ随T的增加而增加。见图的a段。室温附近，东南大学材料科学与工程实验报告共页，第页此时杂质已全部电离，载流子浓度基本不变，这时晶格散射起主要作用，使μp随T的升高而下降，导致σ随T的升高而下降，见图的b段。（1）高温区。在这段区域中，本征激发产生的载流子浓度

5、随温度升高而指数地剧增，远远超过μp的下降作用，使σ随T而迅速增加，如图的c段。1、霍尔系数和温度的关系电子空穴混和半导体材料的霍尔系数表达式：A：为霍尔因子；b：为电子和空穴迁移率的比，大于1。霍尔系数与温度的关系如图2：A：n型半导体B：p型半导体杂质电离饱和区。在曲线（a）段，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。温度逐渐升高，价带上的电子开始激发到导带，由于μn>μp,所以b>1，当温度升到使p=nb2时，RH=0，开始出现了图中（b）段。温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，p

6、温度继续升高，达本征范围时，半导体中载流子浓度大大超过受主杂质浓度，所以RH随温度上升而呈指数下降，RH则由本征载流子浓度Ni来决定，此时杂质含量不同或杂质类型不同的曲线都将趋聚在一起，见图中（d）段。一、实验设备及材料便温霍尔实验仪，磁场控制电源，恒温器，电磁铁等。二、实验内容及步骤东南大学材料科学与工程实验报告共页，第页常温下测量霍尔系数RH和电导率σ打开电脑、霍尔效应实验仪（Ⅰ）及磁场测量和控制系统（Ⅱ）电源开关。（一下简称Ⅰ或Ⅱ）（如《Ⅱ》电流有输出，则按一下《Ⅰ》复位开关，使电流输出为零。）将霍尔效应实验仪（Ⅰ），<样品电流方式>拨至“自动”，<测量方式>拨

7、至“动态”，将Ⅱ<换向转换开关>拨至“自动”。按一下《Ⅰ》复位开关，电流有输出，调节《Ⅱ》电位器，至电流为一定电流值同时测量磁场强度。（亦可将Ⅱ开关拨至手动，调节电流将磁场固定在一定值，一般为200mT即2000GS）。将测量样品杆放入电磁铁磁场中（对好位置）。打开电脑桌面HT648型变温霍尔效应控制程序，进入数据采集状态，选择电压曲线。如果没有进入数据采集状态，则按一下《Ⅰ》复位开关后进入数据采集状态。记录磁场电流正反向的霍尔电压V3、V4、V5、V6。记录测试所得霍尔电压和霍尔系数数值。将《Ⅱ》<测量选择>拨至σ，记录电流正反向的电压V1、V2。