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时间:2019-08-09
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1、第4章常用半导体器件-选择复习题1.半导体的特性不包括。A.遗传性B.光敏性C.掺杂性D.热敏性2.半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。A.漂移运动B.扩散运动C.有序运动D.同步运动3.N型半导体中的多数载流子是。A.自由电子B.电子C.空穴D.光子4.P型半导体中的多数载流子是。A.空穴B.电子C.自由电子D.光子5.本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。A.P型B.N型C.复合型D.导电型6.本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。A.N型B.P型C.复合型D.导电型7.在PN
2、结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是。A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动8.将一个PN结两端各加一条引线,再封装起来,就成为一只。A.二极管B.三极管C.电子管D.晶闸管9.当外电场与内电场方向相同时,阻挡层,电子不容易通过。A.变厚B.变薄C.消失D.变为导流层10.当外电场与内电场方向相反时,阻挡层,电子容易通过。A.变薄B.变厚C.消失D.变为导流层11.PN结的基本特性是。A.单向导电性B.半导性C.电流放大性D.绝缘性12.晶体三极管内部
3、结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构。A.截止区B.发射区C.基区D.集电区13.稳压二极管一般要串进行工作,以限制过大的电流。A电阻B电容C电感D电源14.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A.0VB.3VC.10VD.1.5V15.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A.0VB.3VC.10VD.1.5V16.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A.3VB.0VC.10VD.1.5V17.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A
4、.0VB.3VC.10VD.1.5V18.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A.3VB.0VC.10VD.1.5V19.下图电路中,设硅二极管管的正向压降为0V,则Y=。A.3VB.0VC.10VD.1.5V20.三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是C。21.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC,IC近似等于零时,则该管的工作状态为。A.截止B.饱和C.放大D.不能确定22.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三
5、极管的静态管压降UCE近似等于0,IC近似等于UCC/RC,则该管的工作状态为。A.饱和B.截止C.放大D.不能确定23.在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为。A.6VB.4.6VC.5.3VD.1.4V24.在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为。A.10.6VB.1.4VC.5.3VD.0V25.在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正
6、向压降0.7V,输出电压U0为。A.1.4VB.4.6VC.5.3VD.6V26.在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为。A.0.7VB.4.6VC.1.4VD.6V27.在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为。A.5.3VB.4.6VC.1.4VD.6V28.二极管的用途不包括。A.放大B.钳位C.保护D.整流29.工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压UBE和集电结
7、电压UBC应为。A.UBE>0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0C.UBE<0,UBC<0D.UBE<0,UBC>030.在如图所示的二极管电路中,二极管D1导通;D2截止。设二极管正向压降为0V,则UAB为_______V。A.0B.12C.15D.2731.晶体三极管工作在截止区的特点是_______。A.发射结和集电结均反偏B.发射结和集电结均正偏C.集电结正偏,发射结反偏D.集电结反偏,发射结正偏32.晶体三极管工作在饱和区的特点是_______。A.发射结和集电结均正偏B.发射结和集电
8、结均反偏C.集电结正偏,发射结反偏D.集电结反偏,发射结正偏33.晶体三极管工作在放大区的特点是_______。A.集电结反偏,发射结正偏B.发射结和集电结均反偏C.集电结正偏,发射结反偏D.发射结和集电结均正偏34.适宜在低频电路工作的二极管是________。A.面接触二极管B.点接触二极管C.随便哪种均可35.适合在高频电路工作的二极管是________。A.点触型二极管B.面触型二极管C.随便哪种均可36.稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区,在这个区域里电
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