常用半导体器件复习题

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1、.........................第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。()7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。()8．稳

2、压二极管正常工作时,应为正向导体状态。()9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。()10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。()一、判断题答案：（每题1分）1．√；2．×；3．√；4．√；5．×；6．×；7．√；8．×；9．×；10．×。二、填空题（每题1分）1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。3．晶体二极管的核心部件是一个　，它具有单向导电性。4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时　，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件

3、是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的专业资料分享.........................基极b，源极S对应晶体三极管　，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。9．晶体三极管三个电极的电流IE、IB、IC的关系为：。10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜

4、色。二、填空题答案：（每题1分）1．空穴2．扩散运动3．PN结4．导通5．反向6．发射机e7．变薄8．反向9．IE＝IB＋IC10．材料三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。A、五价B、四价C、三价D、二价2．在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。A、多子的浓度B、少子的浓度C、半导体的体积D、PN结的导电性能3．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A、增大B、不变C、减小D、为零4．设二极管导通电压UD＝0.7V，图示电

5、路的输出电压值U0为。A、0VB、2VC、1.3VD、-1.3V5．晶体二极管具有。专业资料分享.........................A、单向导电性B、双向导电性C、对信号有放大作用D、负载特性6．要使发光二极管正常发光，其两端需外加：。A、正向电压B、反向电压C、正、反向电压均可D、零偏置电压7．稳压二极管一旦被反向硬击穿，将。A、保持原导电性能不变B、绝对不能再使用C、性能变坏，可以继续使用D、对原电路没有影响8．工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A

6、、83B、91C、100D、10009．极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制，属于晶体管极限参数的为。A、共射极电流放大倍数β值B、特征频率fTC、最大集电极耗散功率PCMD、静态工作点的电压值10．图示电路中VB=0V，二极管的管压降可以不计，当VA由0V跳到3V后，Y的电位应为。A、3VB、0VC、12VD、没法确定三、单项选择题答案：(每题1分）1．A、五价2.A、多子的浓度3.A、增大4.A、0V5.A、单向导电性6.A、正向电压7.B、绝对不能再使用8.C、1009．C、最大集电极耗散功率PCM10

7、．B、0V四、简答题（每题5分）1.怎样由本征半导体得到P型半导体？专业资料分享.........................2.怎样由本征半导体得到N型半导体？3.硅三极管BE结的导通电压为多少伏？4.锗三极管BE结的导通电压为多少伏？5.二极管的主要参数有哪些？6.为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？四、简答题答案：（每题5分）1.答：在本征半导体中掺入三价元素（如硼）可得到P型半导体。2.答：在本征半导体中掺入五价元素（如磷）可得到N型半导体。3.答：硅三极管BE结的导通电压为0.5～

8、0.7伏。4.锗三极管BE结的导通电压为0.2～0.3伏。5.答：二极管的主要参数有：①最大整流电流IF；②最高反向工作电压UR；③最大瞬时值反向电流IR；④最高工作频率fM。6.答：因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。