第4章常用半导体器件-练习复习题

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1、第4章：常用半导体器件-复习要点基本概念：了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特性以及单向导电性特点，理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；理解硅稳压管的结构和主要参数，掌握稳压管的电路符号；了解三极管的基本结构和电流放大作用，理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。分析依据和方法：二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止。稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两

2、端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）；若稳压管承受正向电压，稳压管导通（与二极管相同）。理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压；三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压；三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压；难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。一、填空题1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子

3、，留下一个空位称为空穴，它们分别带负电和正电，称为载流子。2.在本征半导体中掺微量的五价元素，就称为N型半导体，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，它主要依靠多数载流子导电。3.在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，它主要依靠多数载流子导电。4.PN结加正向电压时，有较大的电流通过，其电阻较小，加反向电压时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或阳极，与N区相连的电极称为负极或阴极。6.晶体管工作在截止区的条

4、件是：发射结反向偏置，集电结反向偏置。7.晶体管工作在放大区的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。8.晶体管工作在饱和区的条件是：发射结正向偏置，集电结正向偏置。9.三极管IB、IC、IE之间的关系式是（IE＝IB＋IC），IC/IB的比值叫直流电流放大系数，△IC/△IB的比值叫交流电流放大系数。10.在电子技术中三极管的主要作用是：具有电流放大作用和开关作用。11.若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管处于可靠的截止状态。12.已知某PNP型三极管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为-9V、-6V和-

5、6.2V，则三个电极分别为集电极、发射极和基极。13.已知某NPN型三极管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为9V、6.2V和6V，则三个电极分别为集电极、基极和发射极。14.N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。15.P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。16.给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的P区，电源的负极通过电阻接半导体的N区。17.给半导体PN结加反向电压时，电源的正极应接半导体的N区，电源的负极通过电阻接半导体的P区。18.半导体三极管具有放大作用的外部条

6、件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。19.二极管的反向漏电流越小，二极管的单向导电性能就越好。20.半导体三极管是具有二个PN结即发射结和集电结。21.三极管的偏置情况为发射结正向偏置、集电结正向偏置时，三极管处于饱和状态。二、计算题1．如图所示电路，输入端A的电位UA＝+3V，B点的电位UB＝0V，电阻R接电源电压为-15V，求输出端F的电位UF。解：因为DA和DB为共阴极连接，A、B两端为它们的阳极，因此UA、UB中的高电位对应的管子将会优先导通。由UA＞UB可知，DA将会优先导通。如果DA为硅二极管，其正向压

7、降为0V，则此时UF＝+3V。当DA导通后，DB因承受反向电压而截止。在此处，DA起的就是钳位作用，把F端的电位钳置在+3V；DB起隔离作用，把输入端B和输出端F隔离开。2．有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。23．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所

8、示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。解：答案如解图所示：3．测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如下表所示：管号T1T2T3上ece中bbb下cec管型PNPNPNNPN材料SiSiSi4．测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图所示。在