丽水学院2011—2012学年第2学期期中模拟电路试题答案

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1、2010—2011学年第2学期期中考试模拟电子技术试卷参考答案一、（共9分）画出硅二极管的理想模型、恒压降模型和折线化模型的伏安特性曲线和对应的电路模型解：硅二极管的理想模型、恒压降模型和折线化模型的伏安特性曲线和对应的电路模型分别如图（a）、(b)、(c)所示。iDvDoiDvDo0.7ViDvDo0.5ViD+vD-iD0.7V+vD-iD0.5VrD+vD-(a)(b)(c)二、（9分）用万用表测得处于放大状态的BJT各极电位如下，试判断各BJT的材料、类型和b，e，c电极。1．①1.5V,②2.2V,③4.5V;2.①9.5V,②5.5V,③9.3V;3.①-

2、3.2V,②-2.5V,③-6V。解：1.，，∴BJT为硅材料NPN管，①为发射极e，②为基极b，③为集电极c；2.，，∴BJT为锗材料PNP管，①为发射极e，②为集电极c，③为基极b；3.1.，，∴BJT为硅材料PNP管，①为基极b，②为发射极e，③为集电极c；三、（9分）图1中是三只FET的转移特性曲线，试据此判断各FET的类型，并画出其电路符号，写出工作在恒流区时的iD近似表达式。iD/mA2OVGS/V-2(a)（a）－iD/mA3O－VGS/V-2(b)iD/mA4OVGS/V-2(c)图1解：（a）为增强型NMOSFET，工作在恒流区时的（b）为增强型PM

3、OSFET，工作在恒流区时的（c）为结型N沟道FET，工作在恒流区时的三个FET的电路符号分别如下图所示(a)ENMOSFET(b)EPMOSFET(c)NJFET四、（15分）图2（a）、（b）、（c）中的二极管全为硅二极管，输入信号vi=6sinωtV，请用恒压降模型分析并画出输出vo的波形。DR+Vi-+Vo-(a)DR+Vi-+Vo-(c)+Vi-DR+Vo-(b)图22V解：(a)当时，二极管D导通，；当时，二极管D截止，。(b)当时，二极管D导通，；当时，二极管D截止，。(c)当时，二极管D导通，；当时，二极管D截止，。wtvi/V0p2p6-60.7wt

4、v0/V02p5.3p(a)wtvi/V0p2p6-60.7v0/Vwt0p2p-60.7(b)wtvi/V0p2p6-61.3v0/Vwt0p2p61.3(c)五、（8分）设二极管具有理想的单向导电特性，计算图3中的电流I。图3I+20V600Ω400Ω300Ω400ΩAB解：设二极管截止，则A、B两点电位分别为：因为，所以二极管导通，六、（共18分）放大电路如图4所示，BJT的β=100，rbb`=200Ω，1．画出直流通路（2分），估算静态工作点Q（5分）；2．画出H参数微变等效电路（4分），计算Ri，Ro，Av。（7分）解：1.图4（a）电路的直流通路如图4（

5、b）所示Rb147kΩRc3kΩRe1kΩ图4（b）Rb210kΩ+12VTVBQICQIEQ+VCEQ-Cb1Rb147kΩRc3kΩRe1kΩRL3kΩ图4（a）+vi-CeRb210kΩCb2+12VT+vo-Rb1Rb2rbeRcRLibiiβib+vi-+vo-图4（c）2．H参数微变等效电路如图4（c）所示七、（共10分）电路如图5所示，MOSFET的gm=3mS，请画出小信号微变等效电路（4分），计算Av，Ri和Ro（6分）。240kΩ100kΩ6.8kΩ10kΩ1kΩgmvgs+vi-+vo-+Vgs-图5（b）图5（a）+vi-240kΩ100kΩ6

6、.8kΩ1kΩ15VT10kΩ+vo-解：图5（a）电路小信号微变等效电路如图5（b）所示八、（共22分）电路如图6所示，BJTT1和T2对称，β=100，vi1=2.01V,vi2=1.99V。图610V6.8kΩ10kΩvi1+vo-T1-10Vvi2T2T36.8kΩ5.6kΩ4.3kΩ3.6kΩ（1）估算静态工作点；（8分）（2）求差模输入电压和共模输入电压（4分）（3）计算Avd，Rid和Rod。（8分）（4）求输出电压vo。（2分）解：（1）（2）（3）（4）