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1、2011年2月宇航计测技术Feb.,2011第3l卷第1期JournalofAstronauticMetrologyandMeasurementV01.31,No.1文章编号:1000—7202(2011)Ol一0012—05中图分类号:TN623Ka波段MEMS分布线式移相器特性的仿真研究甄可龙1吕善伟1张龙2张岩1(1.北京航空航天大学北京100191;2.中国空空导弹研究院,洛阳471009)文献标识码:A摘要在理想共面波导CPW(coplanar·waveguide)上周期性加载微电子机械系统MEMS(Micro.Electro.Me-chanicalSystems)开关,
2、实现了4位l(a波段分布线式DMTL(distributedMEMStransmissionline)移相器的建模和仿真。通过改变驱动电压来调整MEMS桥的高度,从而改变CPW的相速达到实时延迟。并采用HFSS全波分析和ADS电路分析工具,经仿真计算表明在38GHz以下移相器具有良好的移相精度(3。)、较低的插损(S2。在一10dB以下)及回波损耗(S,。<一4dB),在弹载相控阵收发组件上具有较大应用价值。关键词微电子机械系统移相器l(a波段SimulationofaKa-BandPhaseShifterUsingDistributedMEMSTransmissionLineSt
3、ructureZHENKe—lon91LVShan—weilZHANGLon92ZHANGYanl(1.BeihangUniversity,Bering100191;2.Chinaair—bornemissileacademy,Luoyang471009)AbstractThe4-bitKa.bandDMTL(distributedMEMStransmissionline)Phase。ShifterdesignconsistsofaCPW(coplanar—waveguide)transmissionlinemodeledon1001_LmGaAssubstrate,withMEM
4、Sbridgecapacitorsplacedperiodicallyoverthetransmissionline.BychangingtheheightoftheMEMSbridge.theCPWlinecanvarythephasevelocitytoyieldatruetimedelayphaseshift.nefullwavesimulatedresultsdemonstratethatbelow38GHz,S11andS2lcanachievebelow一10dBandhigh一4dBrespectively.withsmallerthan3ophaseshiftere
5、rror.KeywordsMEMSPhase..ShifterKa..band1引言相控阵技术具有高速度、多目标、抗干扰、智能化等优点,被广泛应用在制导、通信、及电子战等领域,并且向着更轻更小更低功耗方向发展。随着工作频率向毫米波的扩展,相控阵的重要组成部件——移相器的插损和功耗也随之增加。而射频MEMS微波器件凭借在微波和毫米波段具有低损耗、高线性、小功耗、宽频带以及与MMIC工艺町以很好兼容的特点,近年在国内外研究领域引起重视¨”1,基于MEMS开关的开关线型、负载线型,以及3dB耦合器反射型移相器都有相关报基金项目:航空科学基金资助(20100151003),国家自然科学基金
6、资助项目(60901001)。第1期Ka波段MEMS分布线式移相器特性的仿真研究·13·道M矗】,其中负载线型移相器在高频段表现出良好的性能和应用前景"1。在研究DMTL移相器原理基础上,应用高频电磁分析工具HFSS完成了Ka波段移相器基本单元——并联MEMS开关以及4位分布线式移相器的建模和仿真分析,并得出了相关的结论。(a)俯视图2分布线移相器的原理和仿真2.1射频MEMS开关原理及仿真射频MEMS开关通过机械运动来控制射频信号的通断,在插损和线性方面具有卓越的性能,广泛应用在射频至毫米波范围。图l给出了构成DMTL移相器的基本单元——并联电容式MEMS开关的结构和等效电路示意
7、图。狐耶桥介质层(b)横截面(c)等效电路图1MEMS并联电容式开关的结构和等效电路图开关由悬浮在CPW上、两端固定在CPW接地线的金属膜桥构成,当在CPW导带和膜桥之间施加驱动电压,静电引力便使膜桥向下偏移。此时平板电容器的静电能量为式(1)耽:寻c俨:导鱼等(1)‘‘g+兰式中:卜施加在CPW导带与膜桥之间的驱动电压;A—Pw导带距膜桥之间重叠面积;rcPw导带距膜桥的高度;k和占,——下电极上覆盖的介质层的厚度和介电常数;80——空气介电常数。由静电能量式(1)
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