现代材料动态

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1、报告编号：合同编号：20101120005科技查新报告项目名称：第三代半导体碳化硅外延晶片产业化委托人:东莞市天域半导体科技有限公司委托日期：2010年11月20日查新机构（盖章）：广东省科学技术情报研究所查新完成日期：年月日中华人民共和国科学技术部二OOO年制经典文档，值得下载收藏!杳新项廿名称中文：第三代半导体碳化硅外延晶片产业化英文(国内外)：查新机构机构名称广东省科学技术情报研究所通信地址广州市连新路171号科学馆大院内科技信息人楼九楼查新检索中心邮政编码510033电了邮箱ywb303@163.com负责人罗秀豪电话020-83561171

2、传真020-83560508联系人余文斌电话1020-83561171-808电话2020-83560462-808一、查新目的立项查新一、查新项目的科学技术要点1、主要研发内容：⑴针对2英寸、3英寸和4英寸SiC外延生长的核心技术，模拟SiC外延生长条件下的温度场分布和气流分布，研究反应气和载气流暈、分布及温度对外延牛长的影响，分析研究SiC外延牛长机理；(2)研究SiC外延牛长技术及量产关键技术，分析影响均匀性的关键技术问题，解决量产的两大关键问题:亜复性和一致性；(3)研究SiC掺杂机理及为外延工艺条件的内在关系，解决外延牛长过程中因高温导致的

3、杂质引入和衬底掺杂重新分布问题；研究降低SiCW载流子浓度的方法和技术，以实现各种功率器件对不同掺杂浓度的要求；2、主要技术指标(l)SiC外延晶片直径：2英寸、3英寸、4英寸(2)SiC外延晶片厚度：10pm以上⑶表面粗糙度：小于lnm(4)^景载流子浓度：小Tlxl0A16/cmA3⑸片内厚度不均匀性：小于10%(6)片间厚度不均匀性：小于5%⑺片内掺杂不均匀也小于10%(8)片间掺杂不均匀性：小于5%3、协作单位：屮国科学院半导体研究所三、查新点与查新要求A、查新点：本项H将使我国拥有口主知识产权的SiC外延技术及器件制造技术，填补国内空白，同

4、时促进我国SiC器件产业的建立和发展，并形成新的经济增长点。对航空航天、核工业、通信、电动汽车等相关产业的发展也有着重大的意义。B、查新要求：要求进行国内查新。四、国内文献检索范围及检索策略主题词:碳化硅外延晶片2”3”4”、4H-SiC、偏晶向4度检索式：1.碳化硅*外延*牛长*半导体2.碳化硅*外延*(量产+掺杂)3.碳化硅*外延*高温*杂质4.碳化硅*外延*衬底*掺杂*分布5.碳化硅*载流子*浓度检索时间:2010年11月23日1.《万方科技成果数据库》丿j方数据公司网络版万方数据公司网络版万方数据公司网络版万方数据公司网络版2.《万方中国学位

5、论文数据库》3.《万方中国专利数据库》4.《万方中国学术会议论文数据库》5・《中文科技期刊数据库》广东金科网维普镜像版五、检索结果根据检索上述文献及数据库，检出与本委托项1=1密切相关的文献有：1、趣名】京大等三家开发成功SiC外延膜量产技术【作者】无【机构】不详【刊名】现代材料动态.2007(8).-22-23[ISSN号】[0N号】【馆藏号】80212X【关键词】量产技术SIC外延膜功率半导体开发京都大学统一处理导热系数【分类号】TN929.53【文摘】京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC(碳化硅)外延膜生长试制装置”,确立对SiC

6、品圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。山此具备耐高温、耐高床、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实川化边出了一大步。H前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，2、题名】Si衬底上无坑洞3C—SiC的外延牛长研究【作者】孙国胜王雷罗木昌赵万顺朱世荣李晋闽曾一•平林兰英【机构】中国科学院半导体研究所，北京100083【刊名】固体电子学研究与进展.2003,23(2).-135-138[TSSN号】1000-3819[CN号】32-1110【馆藏号】90858X【关键词】无坑洞立方相碳化硅低压化学气相淀积单晶硅树底SiC外延生长L

7、PCVD宽带隙半导体材料【分类号】TN304.24【文摘】在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50nmi的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-S1C)外延材料,利川反射高能电子衍射(RHEED)和扫描电镜(SEM)技术详细研究了Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构，获得了界面平整光滑、没有空洞形成的3C-S1C外延材料，并采用x—射线衍射(xRD)、双晶x-射线衍射(DXRD)和霍尔(HaII)测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性。3、题名】S

8、i(100)衬底上SiC的外延生长【作者】王引书李晋闽等【机构】中国科学院半导体研究所【刊名】材料研究学报.