新材料和其制备方法

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1、新材料和其本发明涉及制备含•磷的硅材料的新方法。本方法可以将高含最的磷和硅结合。在本发明的一个方面.用砖样品包用磷样品。然后.至少一些碍发牛汽化并和硅相互作用。1、制备含确和硅的复合材料的方法.所述方法包括下列步陳：(a)取确样品；(b)用硅层基本包围确样品，所述硅层包含多个硅颗粒；(c)加热硅，加热方式便得在至少部分所述硅层和所述碑样品之间建立温差并且至少一些确发生汽化；和(d)以形成含硅和磷的炼*k复合材料的方式使得和/或导致至少部分确蒸气和至少部分所述硅层接触.2、权利要求1的方法，特征在于以将至少押分所述硅层加热到900r-1500匸之间的硅反应湛度的方式执行步骡(8)、(b)和

2、(c)・3、权利要求1的方法，特征在于所述确样品含有红确.4、权利要求1的方法，特征在于所述方法包括使步琛(d)形成的熔砂复合材料的至少部矗发生參化的又一步赛(e)・5、权利要求4的方法，特征在于所述方法包括以下其它步琛：使步*(e)形成的复合材料的至少部分冷却(fi)和陂后孔隙化(fii).6、权利要求5的方法，特征在于所述方法包括以将至少一些确转变成沖的方丸用中子辖射由(fii)形成的至少押分复合材料的其它步«(g).7＞放射性治疗产物，可以根据权利要求6的方法制备.8、权利要求7的放射性治疗产场在治疗癌症中的用途.新材料和其制各方法本发明涉及新的复合材料以及制备复合材料的靳方法.具

3、体而吉，本发明涉及含有硅和确的新复合材料，叹及用于组合硅和确的新方法.一般而書，在硅中引入杂质原子是硅集成电路制备工艺的重要押分.将搀杂刑引入硅的就常用方法是：（8）杂质从和硅在空间上分开的源扩散到所述珪中，（b）从在硅表面上形成的氧化物展扩散，和（c）硅的离子注入，随后进冇扩散和退火.稱通常用作形成半导体结的摻杂刑•为了使确从POC13»扩散到硅中，通常需要扩散温度为890X：-1050t・从PB.和其它源扩散确也是可能的・通过离子注入在硅中引入摻杂剂可以通过以下得以实现：汽化摻杂原子的汲，使所述原子带电，使由所述原子形成的鳥子加速，以及将所述离子导向硅村底.和离于的相互作用导致硅晶格

4、中斷，但所述中斷可以通过后续热处理得以恢复.以此方式，确可以1OKcmJ的浓度引入到硅中.离子注入可用于改变播杂剂在薄硅表面层中的浓度，所述硅层厚通常小于一微米.通过将硅和某些元素一起熔融制备了硅合金.然后，将熔3合金浇铸成块状.可以通过压碎所述块制备硅粉末.但是，在以此方式形成的合金中存在的非硅元素，在浇铸过程中容易俟析.这意味着由所述块制备的粉末由于这种僞析变得不均匀.纯硅的熔点相对较高（1420€）,这导致华以将焙融硅和低沸点的元素组合在一起.例如，红确的沸点为417T,因此当红确和熔*硅接总时发生汽化，导致难以包含确以及璋以将确和硅组合.US5926727提供了和本发明相关的背景

5、传息.该丈扶描述了将确引入半导体的方法.该方法涉及制备磷越铁水淳液；将半导体颗粒置于磷陵铁溶液中用确酸侯涂覆所述颗粒.然后干燥祓涂覆的颍粒，使得或者导致确扩散到硅中.扩散过程通常在950C进行.US5094832也包含了和本发明相关的背景信息.它描述了熔融硅的气体雾化•由这种类型雾化形成的潁粒大小为0・1微米-1000微米.磷在硅穎粒中的含童为0-0.5%・但是，确是多种杂质，比如钠.锂.钾、镂、tt.侦和彼妁一科.用惰性气流斷开熔砂硅流，形成硅的小液滴，该液満冷却并固化，从而实现#化.已经发现含硅和确的物质在治疗鴉症上的价值.W002/067998A2描述了这种含硅物质•癌症可以通过许

6、多不同方法治疗.这些方法之一是放射牲治疗，其中将肿痔量毎到Y射钱或B射钱下.放射源可以在病人身体外押，或者可以位于身体内部.在有些惜况下，放射源可以放JL在肿瘡区域；这种疗法称作近距离放射治疗.通过将放射源置于肿裁区域并适当选择放射源，能够在对健康组妖的最露量很小惜况下将肿瘤睪雾到放射下.WO02/067998描述了多种放射性核普酸的使用，包括叩，它是0放射体•本发明的目标在于提供含有硅和磷的新型复合材料，it新型复合材料是具有基本均匀化学组成和高浓度确的粉末形式.本发明的另一目标是提供含有硅和磷的新型复合材料，所述斬型复合材料是具有低杂质含量和高浓度确的粉末形式.本发明的又一目标是提供

7、新方法来制备含有硅和高浓度确的固体复合材料，该方法可以将硅大规模转变成所述材料.根据一个方面，本发明提供了制备含有硅和确的复合材料的方法,该方法包括以下步骤：(ai)将硅样品的至少部分加热到位于9001C-1500匸之间的硅反应温度；(bi)加热至少部分确样品，加热方式使得形成碑蕪气并且确样品的至少部分放加热到100t-8001C之间的确汽化温度；和(ci)使得和/或导致至少一些确蒸气和已经加热到硅反应溪度的至少部分硅样品相接触；其