第4章 场效应管放大电路

《第4章 场效应管放大电路》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、第四章场效应管放大电路4.1~4.3场效应管的基本问题（自学）BasicquestionaboutFET4.4场效应管放大电路FieldEffectTransistorAmplifier4.5各种放大器件电路性能比较ComparisonoftheamplificationdevicesFieldEffectTransistorAmplifier场效应管根据结构不同分为哪两大类？何谓耗尽型？何谓增强型？VP夹断电压和VT开启电压分别是何种类型场效应管的重要参数之一？场效应管有哪三个电极？和BJT管如何对应？场效应管的两个电压VGS和VDS分别起何主要作用？场效应管

2、输出特性曲线分为哪几个区？作放大时工作在哪个区？为什么？场效应管是双极型？单极型？电压控制器件还是电流控制器件？它的输入电阻如何？根据场效应管特点作放大时，应如何合理设置Q点？针对以下问题，自学JFET和MOSFET，了解MESFET：4.1场效应管的基本问题BasicquestionaboutFET§场效应晶体管场效应管与晶体管不同，它是电压控制元件，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型MOS绝缘栅场效应管（N沟道）（1）结构PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层金属铝N导

3、电沟道未预留N沟道增强型预留N沟道耗尽型PNNGSDGSDN沟道增强型（2）符号N沟道耗尽型GSD栅极漏极源极耗尽型N沟道MOS管的特性曲线IDmAVUDSUGS实验线路(共源极接法)GSD输出特性曲线UGS=0VUDS（V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V夹断电压UP=-2V固定一个UDS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线耗尽型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0IDUGSUP夹断电压跨导gmUGS=0VUDS（V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V

4、=ID/UGS=（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/VUGSIDN沟道P沟道增强型enhancement耗尽型depletiontypeN沟道NchannelP沟道PchannelN沟道P沟道（耗尽型）depletiontypeFET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型FET分类：ClassificationofFET场效应管fieldeffecttransistor结型junctiontype绝缘珊型isolatedgatetypeMOS型metaloxidesemiconductortypedepletiontype耗尽型：场效应管没有加偏置

5、电压biasedvoltage时，就有导电沟道存在enhancement增强型：场效应管没有加偏置电压biasedvoltage时，没有导电沟道4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析analysisofstaticstate&DCbiasedcircuitofFET4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法small-signalmodelanalysisofFETamplifier4.4场效应管放大电路FieldEffectTransistorAmplifier自偏压电路self-biasingcircuit静态工作点的确定confirmationofQ-p

6、oint4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析analysisofstaticstate&DCbiasedcircuitofFET分压式自偏压电路voltage-dividingself-biasingcircuit自给偏压共源放大电路self-biasingcircuitvGSVGS=-IDR此电路只能用于耗尽型FET，亦称自偏压电路2.分压式自偏压电路voltage-dividingself-biasingcircuit此电路既适用于耗尽型FET又适用于增强型FETQ点：VGS、ID、VDSvGS=VDS=已知VP，由VDD-iD(Rd+R)-iDR可解出

7、Q点的VGS、ID、VDS3.静态工作点的确定confirmationofQ-pointFET小信号模型FETsmall-signalmode动态指标分析analysisofactiveindex三种基本放大电路的性能比较performancecomparison4.4.2FET放大电路的小信号模型分析法small-signalmodelanalysisofFETamplifier1.FET小信号模型FETsmallsignalmodel（1）中低频模型medium-lowfrequencymodel（2）高频模型highfrequencymodel在高频时，极

8、间电容不能忽略，需用高频