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时间:2019-09-03
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1、第1章常用半导体器件一.选择题1、半导体导电的载流子是__c—,金属导电的载流子是__A_oA.电子B.空穴C.电子和空穴D.原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是型半导体。A・PB.NC・PND・电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是型半导体。A.PB.NC・PND・空穴导电4、N型半导体多数载流子是_,少数载流子是—;P型半导体中多数载流子是—,少数载流子是—oA.空穴B.电子C.原子核D.中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于_,少数载流子浓度取于。A.反向电压的大小B.环境温度C・制作时间D.掺入杂质的浓度6、PN结
2、正向导通时,需外加一定的电压U,此时,电压U的正端应接PN结的,负端应接PN结oA・P区B・N区7、二极管的反向饱和电流主要与有关。A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线。A.Vd-IdB.Vo-roC・Id"D.f-Io9、用万用表测量二极管的极性,将红、黑表笔分别接二极管的两个电极,若测得的电阻很小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的oA.正极B.负极C.无法确定10、下列器件中,不属于特殊二极管。A.稳压管B.整流管C.发光管D.光电管11、稳压二极管稳压,利用的是
3、稳压二极管的OA.正向特性B.反向特性C.反向击穿特性12、稳压管的稳定电压乞是指其。A.反向偏置电压B.正向导通电压C.死区电压D.反向击穿电压14.三极管的主要特征是具有作用。15.16.17>19>A.电压放大B.单向导电C.电流放大D.电流与电压放大三极管处于放大状态时A.发射结正偏,集电结反偏C•发射结反偏,集电结反偏B.发射结正偏,D.发射结反偏,NPN三极管工作在放大状态时,其两个结的偏置为A・Ube>0>UbevUceC・Ube>0>Ure>Uce•对于PNP型三极管,为实现电流放大,A.Uc>Ub>UeB.UC4、PN型三极管,为实现电流放大,A.Uc>UB>UEB・UcbB.uce与>c集电结正偏集电结正偏UbevO*UbeceD.Ube<0>Uce>°各极电位必须满足.C.Ub>Uc>UeD・UbUc>UeD.UB5、反映的是之间的关系。23.24.场效应管的输出特性曲线反映的是A.「GS与6图3.4(a),(b)分别代表A.P沟道增强型与N沟道耗尽型B.、'be与心之间的关系。Bo"仍与5Do绝缘栅场效应管。I)I)B.N沟道增强型与N沟道耗尽型C・N沟道耗尽型与P沟道增强型D・P沟道耗尽型与N沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征的控制作用。A.%对°Bo%对%••C.%对°Do々对%二.填空题1.半导体具有性、性和性。2.温度将使半导体的导电能力大大增加。3.半导体材料中有两种载流子,即和。4.杂质半导体按导电类型分为和o5.N型半导体多子是;卩型半导体6、多子是o6.PN结的基本特点是具有性,PN结正向偏置时,反向偏置时o7.二极管的反向电流随外界温度的升高而;反向电流越小,说明二极管的单向导电性。一般硅二极管的反向电流比错管很多。8.二极管处于反偏时,呈现电阻。9・二极管反向饱和电流Is会随升高而增大。10.二极管的最高反向工作电压Urm的含义是o11.稳压二极管通常是工作在状态下的特殊二极管,发光二极管的PN结工作在偏置状态时会发光。12.三极管是一种控制器件;而场效应管是一种控制器件。13.三极管起放大作用时的内部要求是:基区;发射区;集电O14.三极管具有电流放大作用的实质,它是利用电流的7、变化控制电流的变化。15.三极管输出特性曲线分为区、区和区。16.绝缘栅场效应管分为型和型两类,各类又有沟道和沟道两种。
4、PN型三极管,为实现电流放大,A.Uc>UB>UEB・UcbB.uce与>c集电结正偏集电结正偏UbevO*UbeceD.Ube<0>Uce>°各极电位必须满足.C.Ub>Uc>UeD・UbUc>UeD.UB5、反映的是之间的关系。23.24.场效应管的输出特性曲线反映的是A.「GS与6图3.4(a),(b)分别代表A.P沟道增强型与N沟道耗尽型B.、'be与心之间的关系。Bo"仍与5Do绝缘栅场效应管。I)I)B.N沟道增强型与N沟道耗尽型C・N沟道耗尽型与P沟道增强型D・P沟道耗尽型与N沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征的控制作用。A.%对°Bo%对%••C.%对°Do々对%二.填空题1.半导体具有性、性和性。2.温度将使半导体的导电能力大大增加。3.半导体材料中有两种载流子,即和。4.杂质半导体按导电类型分为和o5.N型半导体多子是;卩型半导体6、多子是o6.PN结的基本特点是具有性,PN结正向偏置时,反向偏置时o7.二极管的反向电流随外界温度的升高而;反向电流越小,说明二极管的单向导电性。一般硅二极管的反向电流比错管很多。8.二极管处于反偏时,呈现电阻。9・二极管反向饱和电流Is会随升高而增大。10.二极管的最高反向工作电压Urm的含义是o11.稳压二极管通常是工作在状态下的特殊二极管,发光二极管的PN结工作在偏置状态时会发光。12.三极管是一种控制器件;而场效应管是一种控制器件。13.三极管起放大作用时的内部要求是:基区;发射区;集电O14.三极管具有电流放大作用的实质,它是利用电流的7、变化控制电流的变化。15.三极管输出特性曲线分为区、区和区。16.绝缘栅场效应管分为型和型两类,各类又有沟道和沟道两种。
5、反映的是之间的关系。23.24.场效应管的输出特性曲线反映的是A.「GS与6图3.4(a),(b)分别代表A.P沟道增强型与N沟道耗尽型B.、'be与心之间的关系。Bo"仍与5Do绝缘栅场效应管。I)I)B.N沟道增强型与N沟道耗尽型C・N沟道耗尽型与P沟道增强型D・P沟道耗尽型与N沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征的控制作用。A.%对°Bo%对%••C.%对°Do々对%二.填空题1.半导体具有性、性和性。2.温度将使半导体的导电能力大大增加。3.半导体材料中有两种载流子,即和。4.杂质半导体按导电类型分为和o5.N型半导体多子是;卩型半导体
6、多子是o6.PN结的基本特点是具有性,PN结正向偏置时,反向偏置时o7.二极管的反向电流随外界温度的升高而;反向电流越小,说明二极管的单向导电性。一般硅二极管的反向电流比错管很多。8.二极管处于反偏时,呈现电阻。9・二极管反向饱和电流Is会随升高而增大。10.二极管的最高反向工作电压Urm的含义是o11.稳压二极管通常是工作在状态下的特殊二极管,发光二极管的PN结工作在偏置状态时会发光。12.三极管是一种控制器件;而场效应管是一种控制器件。13.三极管起放大作用时的内部要求是:基区;发射区;集电O14.三极管具有电流放大作用的实质,它是利用电流的
7、变化控制电流的变化。15.三极管输出特性曲线分为区、区和区。16.绝缘栅场效应管分为型和型两类,各类又有沟道和沟道两种。
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