第01章 常用半导体器件图

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1、模拟电子技术基础第01章半导体器件第02章基本放大电路第03章多级放大电路第04章集成运算放大电路第05章放大电路频率响应第06章放大电路中的反馈第07章信号运算和处理第08章波形发生和信号转换第09章功率放大电路第10章直流电源模拟电子技术基础学习方法1、不必预习、听课记笔记，注重课后复习；2、例题要认真理解、课后习题要及时完成；3、不缺课，不适合自学！通过课堂教学积累专业经验，注意单元电路的知识总结；4、读书：以教材为主，一遍懂、二遍通、三遍精！5、注重实验！理论设计完成后，须实验调试；第一章常用半导体器件1.1半导体基

2、础知识1.2半导体二极管1.3双极型晶体管1.4场效应管1.5单结晶体管和可控硅1.6集成电路中的元件返回1.1半导体基础知识图1.1.1本征半导体结构示意图图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴图1.1.3N型半导体图1.1.4P型半导体图1.1.5PN结的形成图1.1.6PN结加正向电压时导通图1.1.7PN结加反向电压时截止图1.1.8PN结平衡时载流子的分布图1.1.9外加正向电压时PN结载流子的分布图1.1.10PN结的伏安特性图1.1.11PN结的势势垒电容图1.1.12P区少子浓度分布曲线返回半导体材料+14

3、Si284+32Ge28184图1.1.1本征半导体结构示意图稳定结构，使能量处于最低态！返回Si单晶共价键结构图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴返回本征激发：热激发产生电子空穴对，数量只与温度有关图1.1.3N型半导体返回+15P285本征半导体中掺入微量五价杂质元素磷P，微量元素磷P被Si所包围，出现自由电子（多子、浓度大），空穴仅由本征激发产生（少子、浓度小）。图1.1.4P型半导体返回+5B23本征半导体中掺入微量三价杂质元素硼B，微量元素硼B被Si所包围，出现空穴（多子、浓度大），电子仅由本征激发产生（少子

4、、浓度小）。图1.1.5PN结的形成返回1、由于载流子浓度不均匀，产生多子扩散运动，建立空间电荷区；2、空间电荷区内电场阻止多子继续扩散，却有助于少子漂移运动；3、扩散与漂移达到动态平衡，空间电荷区宽度不变，形成PN结；图1.1.6PN结加正向电压时导通返回4、正偏电压使内电场减弱，形成正向扩散电流（较大的多子流）；图1.1.7PN结加反向电压时截止返回5、反偏电压使内电场增强，形成反向漂移电流（较小的少子流）；由于少子由本征激发产生，因此反向电流只与温度有关，与电压无关；PN结具有单向导电性：正向电流大、反向电流极小。双极

5、型半导体器件：两种载流子同时参与导电过程。（多子、少子）图1.1.8PN结平衡时载流子的分布返回图1.1.9外加正向电压时PN结载流子的分布返回图1.1.10PN结的伏安特性返回导通电压正向压降Si0.5V0.6~0.8V(0.7V)Ge0.1V0.1~0.3V(0.2V)工作电压（很大）工作电流＋u－PNi图1.1.11PN结的势垒电容返回图1.1.12P区少子浓度分布曲线返回1.2半导体二极管图1.2.1二极管的几种外形图1.2.2二极管的几种常见结构图1.2.3二极管的伏安特性图1.2.4由伏安特性折线化得到的等效电路

6、图1.2.5二极管加正向电压的情况图1.2.6例1.2.1电路图图1.2.7二极管的微变等效电路图图1.2.8直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路图1.2.9图1.2.8所示电路的波形分析图1.2.10稳压管的伏安特性和等效电路图1.2.11稳压管稳压电路图1.2.12发光二极管图1.2.13光电二极管的外形和符号图1.2.14光电二极管的伏安特性图1.2.15例图1.2.3电路图返回图1.2.1二极管的几种外形返回图1.2.2二极管的几种常见结构返回PN图1.2.3二极管的伏安特性返回图1.2.4由伏安特性折线化得到

7、的等效电路返回图1.2.5二极管加正向电压的情况返回图1.2.6例1.2.1电路图返回图1.2.7二极管的微变等效电路图返回图1.2.8直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路返回图1.2.9图1.2.8所示电路的波形分析返回图1.2.10稳压管的伏安特性和等效电路返回IZminIZmanP20图1.2.11稳压管稳压电路返回=UzUzIz限流电阻图1.2.12发光二极管返回阴极正向电流：10~20mA反峰压：3~5V正向压降：1.2V~2V4V5V红~绿白兰图1.2.13光电二极管的外形和符号返回图1.2.14光电二极

8、管的伏安特性1象限3象限4象限-i光电流反向光电流照度光电流1光电流2光电流3暗电流四象限：微型光电池ui=-----RV----RVV=u+iRV=-u-iRu=-iRV-----R-Vi+u--=u图1.2.15例图1.2.3电路图返回1.3双极型晶体管图1.3.1晶体管的几种常见外