数字电子技术基础 杨相生 习题一参考答案

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1、数字电子技术基础习题参考答案宁波大学科技学院2006-116习题一参考答案1.1略。1.2正逻辑用“1”表示逻辑真，“0”表示逻辑假；而负逻辑则相反。因此正逻辑表达式，用负逻辑时其表达式为。1.311.375。1.4(168)D=(10101000)B=(250)O=(A8)H；(19.85)D=(10011.11011001)B=(23.663)O=(13.D9)H。1.5(0.62)D=(0.1001)B。1.6(139)D=(000100111001)8421BCD；(69.74)D=(01101001.01110100)8421BCD。1.71.8略。1.9证（1）左式==

2、右式（）。（2）左式===右式。（3）左式===右式。（4）左式===右式。1.10解：（1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）=（8）6（9）=（10）=1.11解：逻辑函数化为最小项表达式，可以用配项法，也可以用卡诺图法，还可以先写出最小项对应的二进制数，然后写出最小项。（1）配项：（2）卡诺图：卡诺图如右，得：（3）根据逻辑函数表达式，与项A应具有100，101，111三个最小项；与项BC具有011，111两个最小项，合并得最后最小项同上。根据逻辑函数最大项与最小项的关系，得：1.12解：卡诺图如下：1.13解：画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下，可得最简与或表达式。6（1）Y

3、=1（2）Y=1（3）（4）（5）（6）1.14解：画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下，由卡诺图可得最简与或表达式。题解1.14卡诺图（1）（2）（3）6（4）（5）1.15解：利用对偶法则及卡诺图（见上图）得：所以或与表达式为：；与或表达式为：1.16解：A门低电平噪声容限VNL＝VOFFA-VOL（max）＝1.1V-VOL（max）A门高电平噪声容限VNH＝VOH（min）-VONA＝VOH（min）-1.3VB门低电平噪声容限VNL＝VOFFB-VOL（max）＝0.9V-VOL（max）B门高电平噪声容限VNH＝VOH（min）-VONB＝VOH（min）-1.7V可见无论高

4、电平噪声容限还是低电平噪声容限，A门均比B门大，因此A门的抗干扰能力强。1.17解：当驱动门输出高电平时，N1应满足：当驱动门输出低电平时，N2应满足：；因此，扇出系数（能驱动逻辑门个数）为N=10。图T1.1题1.17图图T1.2题1.18图1.18解：（1）G1工作在高电平，G2工作在低电平时发光二极管可能发光。（2）集电极电流为：，根据ID=5~10mA，得RC=240~480Ω（VCC取5V）；（3）如果RC=300Ω，则基极电阻RB的取值范围为：，即：。1.19解：如图。6表T1.2题1.19表A端+5V悬空接地C端+5V悬空接地IA50μA0V-0.75mAIC50μA

5、0V-1.5mAIB-1.5mA-1.5mA-0.75mAUD1.4V1.4V0VUF3.6V3.6V3.6VUF0.4V0.4V3.6V1.20解：如图。6