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1、CellprocessintroductionPIcoatingRubbingAssemblyScribe&BreakPolarizerLaminatorCelltestReworkCF玻璃基板TFT玻璃基板基板清洗PI印刷(硬化)配向配向後清洗基板清洗PI印刷(硬化)配向配向後清洗框膠塗佈UV照射固化切割/裂片基板組合偏光板貼附加壓脫泡出貨(至模組廠)液晶滴入CT2CellProcessCT1銀膠塗佈PIprocessCFInputTFTInputPrePIcleanerPIprintPIPre-bakePIinspectionPIPost-bakePIcooli
2、ngPrePIcleaner清洗程序PrePIcleanerunitflow&pressure表清洗程序EUVNeutralDetergentBrushD.I.waterShowerCJ+ShowerAirKnifeConveyorIRCPOConveyorSwivelconveyorEUVarea藉由紫外線照射後產生的O3,及活性氧,將Particle(主成份為有機碳化合物),氧化為H2O,CO2,CO等易揮發物質,達到基板表面及表面改質作用。UVLampUV(172nm)(185nm)(254nm)UV(254nm)Ozone有機物質紫外線照射切斷化學結合酸化分
3、解cleaningO*radical酸素基板原理圖1)利用光energy切斷高分子結合反應2)促進酸化反應搭配Ozone3)通過酸化反應作氣化COxH20NOxO2+O*ExcimerUV/O3洗淨NeutralareaDetergentBrusharea使Brush和基板表面直接摩擦同時作Detergentshower。Brush為上下對向2段,上壓力比下壓力大,當玻璃基板未至RollerBrush前,上下Brush可對向摩擦,有自我清潔之作用。Detergent為運用界面活性劑同時含有親油基與親水基的結構。Detergent/Brush洗淨BrushChambe
4、r-Brush:Largerparticle(>5um)-使用Brush去除Particle時,使Brush和基板表面直接摩擦同時作Detergentshower-Brush為上下對向2段,上下Brush之轉數均為400rpm,當玻璃基板未至RollerBrush前,上下Brush可對向摩擦,有自我清潔之作用Brush壓入量-壓入量越大,去除能力越佳-壓入量越大,基板越容易歪掉,導致基板被其他硬體設施打破,故一般壓入量均在0.6~1.2mm之間(L8壓入量:0.9mm)Detergentremove:為運用界面活性劑同時含有親油基與親水基的結構另外,大自然中大多數的
5、油漬,其熔點會在40C以下故在此溫度下可達液化效果。LH-300:NonionSurfactant30±1%(L5/L6)CH3R(OCH2CH2)---OH我是親油基(碳氫鍵)我是親水基(極性鍵)Detergent/Brush洗淨D.I.watershowerareaC.J.+showerareaCavitationJet使用高壓水柱衝擊表面,並且故意造成overflow情形利用空氣與水混合後,產生氣泡,並在基板表面產生氣體爆破,則在氣泡產生與消去中所產生的能量可加強去除能力C.J(CavitationJet)洗淨C.J(Highpressurejet):Par
6、ticlesize~>3um作用:1.使用高壓水柱衝擊表面,並且故意造成overflow情形利用空氣與水混合後,產生氣泡,並在基板表面產生氣體爆破,則在氣泡產生與消去中所產生的能量可加強去除能力。2.壓力越大,去除能力越強(高壓水柱壓力:10kg/cm2)。Airknifearea除去表面液體,玻璃基板初步乾燥。此風刀與玻璃基板成斜角,主要目的是可使基板表面液體更確實驅離表面以防殘留。而Line1與Line2的風刀方向呈現不同,剛好成反方向垂直。Airknife:Itusesslitnozzletodowatercutting作用:除去表面液體,玻璃基板初步乾燥。
7、DryingMechanismUpperslitnozzleDownslitnozzleIRarea使基板加熱至100度以上,達到水分子去除玻璃基板的水分可完全去除,但基板溫度需超過100℃,10sec以上。CPOareaDryingMechanismIRArea:作用:使基板加熱至100度以上,達到水分子去除,玻璃基板基板的水分可完全去除,但基板溫度需超過100℃,10sec以上。L8:190±10℃(規定10sec內需上升到100℃)基板在IR之後不經Cooling會因為基板溫度太高,則PI液中之Solvent揮發速度分布不均,導致Print品質不佳。L8: