半导体物理与器件第11章课后答案(尼曼版)new

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2、olutionsManualProblemSolutionsChapter11ProblemSolutionsThen12/L()−14()41688510bg..x0156O11.1xdT=M−1916P(a)p-type,inversionNb1610.xgb10gQ(b)p-type,depletionor(c)p-type,accumulationxm=0235.µdT(d)n-type,inversionThen−8211.2Qx′()max=37610.C/cmSD(a)ForTK=300(b)Silicon:ForTK

3、=200,FNI200aFIφpt=VlnVV==()00259..001727HGKJtHKn300i1643−F10ISilicon:nxi=7.6810cm==()00259.ln0347.VHG10KJWeobtainφ=0442.aVnd1510.xpNow−82xm=0388.,mµQx′()ax=5410./CcmdTSD12/L4∈φpO−3x=GaAs:nci=138.mdTNMeNaQPWeobtainφ=0631.aVndp12/−14L41178,8510()..bgx()0347Oxm=0428.,mµQ′

4、()ax=68510.x−82C/cm=MPdTSD−1916Nb1610.xgb10gQ10−3Germanium:nx=2.1610cmiorWeobtainφ=0225.aVndpxm=030.µdT−82xm=0282.,mµQx′()ax=4.510C/cmAlsodTSDQe′()max=NxSDadT−−1916411.3=bg1610..xxbg10bg03010−92(a)WewantQx′()max=7.510C/cmSDorWehave−82Qx′()max=4.810C/cmSDQe′()max=NxSDdd

5、TGaAs:where16F10I12/φ==()00259.ln0581.VL4∈φfnOFNdIp6x=andφ=VlnHG1810.xKJdTfntHGKJNMeNdQPniandForn-typesilicon,12/−14L413188510()..bgx()0581.O−912/Qx′()max==∈7.5104eNφx=MPSDdfndT−1916Nbg1610.xbg10Q−−191412/=41610bgbg..xx()11788510.Nφordfnxm=0410.µordT2−−931Then7.510bxxg

6、=b66310.gNφdfn−82Qx′()max=65610.C/cmwhichyieldsSD13Germanium:Nxdfφn=84810.16andF10Iφ==()00259.ln0156.VpHG13KJ2.410x167rdSemiconductorPhysicsandDevices:BasicPrinciples,3editionChapter11SolutionsManualProblemSolutionsFNdIFEgIφfn=()00259.lnH10Kφφms=−HG−fnKJ⇒−035..=−bg056−

7、φfn1510.x2eBytrialanderroror14−3Nxd=32710.cmFNdIφ==021..l()00259nfnH10K(b)1510.xφφ=−2whichyieldssfn13−3whereNx=4.9810cmd14F32710.xI(b)φ==()00259.ln0259.Vfn10+HG1510.xKJppolysilicongate:ThenFEgIφφ=+⇒−=+035..bg056φφ=−0518.VmsfnfnsHG2eKJor11.4φ=−091.Vfnp-typesilicon+(a)Al

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