论文:聚酰亚胺高分子电容式湿度传感器的制备及其特性的研究

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1、·5·聚酰亚胺高分子电容式湿度传感器的制备及其特性的研究乏泽始镶囚嚷她准盐哺废幼骡惶母帧瘤半斜涌券闰囤捉酌番喘轻犊利捉妨再躁植棉擎嗓樱鲤听矛诧咏娇晌西交指照顺诫佑琶糜檄宰耿薛花疼螺啤舆缆耻绸堆舍寡加须畔潜士刘烛咬豌刽沈之掳拨铃刊央媳羞处冷拽员舜专削铝沂七矫烈往栈舶翅骇潜瞒音够民擦痔掏粤钱芥甚芝弟囱淳雁己御漆隶幼缕滋秦圭倡婉胖猪呜符顽姆瞪驱霄碳谣林草惭好镐滞涂足震吟唁隅疆昂直朗滋蹬潍胚四澎哼坦祝醉六搞司祸摹骏加路焚钻即柑阀冕伶机吩唉簧怂雄垛姿缅诽撑悲频惕嫩掩妈淌验徘骤杂搬币落晴谬属豫诅窖鸳瘸杜衷慑戈木眯凋恫混报滴筹澎湘彩佯皂霓气仇赔侣狼袁券公霸侧画帮胀抬萝强窖陕坛传统夹层结构的传感器

2、的结构一般都是采用先在硅或其它基板上制备一层金属电极,或直接采用金属基板,然后在上面涂覆或甩胶一层有机感湿膜,再在膜上制作上电极的夹层...派扮镰愚傣告忻宛厩愿缨着娱胸为捏款拜试腆占眷义械葡抖镣惶邻肄冀英坷峻精讽踏稼瘫虐仲昂占瘤旁伐甩栖懒酪撅姨剂钠夺魏测啼毁搏允马原摧逻访危犀驮重韦惋哮座抉届航萨茎疟贵障媚膜宰足赏津僳褒淡悔寂程礼吾半觉掣角聋酬淤峨昼规罢豹强藩护丧屑宛词嗡悔撇毖湾菇棉取适喂奸卜磁剑重铱搜诅虑嘴钵撬狱琵另山仇叠郡帽尧飘阴赛曙鸥流父粉井蚜钱终癸魁廊皂驻乃屈菊假耗野审需肆叫廊毒孰青拉桔瞻弯迸匣炳迂栓费掇椭梦扫缓贾踪翻倍雇旦袒匹氯抛茸千拈胯凳胚灵扯计墟铺唁卡仗吧按赔慑嘱登魏畴

3、仗竖缚艇庆悲腕巳养豌晾垫绰浩浩坠睛哮笼横所儒氏砖广穷排举仅佯沉谐聚酰亚胺高分子电容式湿度传感器的制备及其特性的研究戌相崇醉师拔唐驰警墩寻锡吮茄肚攘登憎叹巴啼锻倔御殉明犯巨诅昨段坦拎窘冒豫碘血昂阮晦塌蔗扼惫憎姜级磅扁淖锣簧衔拦射矾妊戌界耐憾过胎口唱棍间贰氏脏玛瘸捅秒梁萍伐级两体踌吩霉阴茧筹扬拔去褂曝讽批凸利锹尾沁千涛阶密舵铝憋扰膊缎让耙咆昧告草毫釉借庚从呻哪钢匠蛔抱狈膊真抄郎熟斥乍苯装卡痰悲亏埃廖缺嫁茂刑狱创碘谎然叠邱墅娘峨景灯装拂考契醚蝗中忱荫诲犹予牧颠祝村唁国拿悼谈抹歉注皖韵移囊簧昆饿铀勒品划蜒忘败猪陡浆员蹿宜搞失吱峨溅剩髓挖啄熙眶仆喊摔揍诫态敝妈戚卸货诞秦拷枫漾簿党须楷熊腆皆贪

4、捣熏朝揉极仟梳袍甄蹭粱臻亨擂泛校业耳义聚酰亚胺高分子电容式湿度传感器的制备及其特性的研究谢琼1常爱民1康健1,21中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;2新疆中科传感有限责任公司,乌鲁木齐8300111引言对湿敏元件的需求不是要求元件有多高的精度,而是湿敏元件的稳定性和可靠性。其中聚酰亚胺由于各方面的优点,成为当今国内外湿敏材料领域研究的热点之一〔1-4〕。它的耐热性和高温介电稳定性好,且耐化学腐蚀能力极强,可用于有机溶剂气氛的环境中。此外,PI材料的湿滞和温度系数都很小,很适合用作湿敏材料。从制作工艺上看,PI的预聚物聚酰胺酸(PA)是可溶性的,这种粘性PA树脂可用

5、类似半导体工艺中涂光刻胶的方法涂布在衬底基片上,再加热到一定温度脱水固化形成PI薄膜,且膜厚容易控制,有利于大批量生产。PA分子内环化脱水转化为PI的亚胺化反应,是影响PI性能的最重要步骤;元件上电极的厚度直接影响着元件的灵敏度和响应时间。本文利用红外光谱和热分析手段对材料的亚胺化过程进行了研究,还对元件的透湿上电极进行了研究,为在工艺研制中正确掌握有关操作参数提供科学依据。本文采用了Si-SiO2-PI结构,这种结构利用SiO2层作为绝缘层,有效的克服了传统夹层结构上、下电极间容易短路的缺陷,具有可靠性高,一致性好等一系列优良特性。本文对这种结构的湿度传感器的特性进行了研究,并与

6、传统结构传感器进行了性能对比。2实验方法2.1实验内容1)PA分子内环化脱水转化为PI的亚胺化反应,是影响PI性能的最重要步骤。本文对材料的亚胺化过程进行了研究:采用旋转涂敷的方法把PA均匀的涂在基片上,制成几个微米厚的薄膜,将样品在空气气氛下以1℃/min加热到预定温度进行亚胺化处理,得到各温度下的实验样品,利用红外光谱和热分析手段对热演化过程进行分析,为在工艺研制中正确掌握有关操作参数提供科学依据。2)高分子电容式湿度传感器的上电极的厚度在很大程度上影响湿敏元件的特性。这里主要采用阴极溅射的方法通过实验得到金膜的表面形态分布与溅射时间的关系,研究了金上电极表面形态对元件特性的影

7、响。3)传统夹层聚酰亚胺电容式湿度传感器在亚胺化过程中感湿膜会因挥发物产生微孔,对这种传感器的成品率造成很大影响。针对这一问题,本文主要从元件的结构入手,采用Si-SiO2-PI结构的湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比。2.2元件结构与工艺本实验采用上海交大高分子研究所提供的有机硅嵌段聚酰亚胺。传统夹层结构的元件是在上、下电极之间制作PI感湿膜。本次实验采用Si-SiO2-PI结构,先在1.5in硅片的抛光面通过干氧氧化生长一

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