基于CPLD和接触式图像传感器的图像采集系统.doc

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1、基于CPLD和接触式图像传感器的图像采集系统　　接触式图像传感器CIS（ContactImageSensor）是继CCD之后于20世纪90年代研究和开发的一种新型光电耦合器件［1］。它将光电传感阵列、LED光源阵列、柱状透镜阵列、移位寄存器和模拟开关等集成在一个条状方形盒内，其工作原理与CCD较为相似，但与CCD相比，CIS具有体积小、价格低、结构简单、安装方便等优点，目前在传真机、扫描仪及条码解码器等领域可完全取代CCD图像传感器。　　本文介绍一种基于复杂可编程逻辑器件CPLD（ComplexProgrammab

2、leLogicDevice）使用接触式图像传感器实现的图像采集系统。　　1系统概述　　图像采集模块的框图如图1所示，CIS图像传感器在CPL的控制下，将每一个像素的灰度值以模拟电压值的形式通过串行移位方式传输出来，某个像素的电信号再经过差动放大器电路进行信号调理后，由A/D转换器将模拟电压转换数字量，通过总线的切换实现双存储区轮换工作，然后在CPLD的控制下，将转换后的数字信号暂存在存储器RAM中。　　　　CPLD是系统的核心部件，主要完成CIS图像传感器的时序驱动、A/D转换器的控制、总线切换的控制、地址的产生，

3、数据的存储以及与DSP处理器的协调。　　总线切换是采集的关键部分，实现了图像数据存储的两帧轮换结构［2］。当CPLD向存储器RAM1写一帧图像时，DSP向存储器RAM2读取另一帧图像，当存储器RAM1写满且存储器RAM2读完时，由CPLD控制读写总线相互切换，由CPLD继续向存储器RAM2写下一帧图像，DSP向存储器RAM1读取前一帧图像，采用这种两帧轮换的设计方法使得采集和处理可以同时进行，提高了数据采集和处理的效率。　　2硬件构成　　2.1CIS接触式图像传感器　　在本文的应用中，接触式图像传感器的有效扫描宽度

4、为216mm。其光电检测单元及柱状透镜分别对应的排成线阵，共有1728个传感单元、能够以红、绿及红外三种光源对图像进行扫描，时钟频率为4M赫兹，型号为C2R2166289。　　2.2A/D转换器　　TLC5510是美国TI公司生产的高速模数转换器件［3］，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，最大采样可达20Msps。由于TLC5510不仅具有高速的A/D转换功能，而且带有内部采样保持电路，因此大大简化了外围电路的设计，由于其内部带有标准分压电阻，从而可以从＋5V的供电电源中获得2V满刻度的基准电

5、压。　　2.3CPLD及DSP处理器　　CPLD芯片选用ALtera公司的MAX7000S系列器件EPM7128SLC84，此芯片可以通过JTAG在线编程，由128个逻辑宏单元和2500个可用逻辑门。在MAX＋PLUSⅡ软件中，使用高级硬件描述语言编程将设计好的硬件逻辑下载到芯片中，使得对硬件的设计如同软件设计一样方便快捷。　　缓冲存储器由2片IS61C1024芯片构成，IS61C1024是8位128KB的高速CMOS静态RAM，最小存储时间为12ns，能够满足高速数据读写的要求，同时也适合大容量图像数据的暂存。　

6、　DSP芯片采用TI公司的TMS320C5402芯片，采用改进的哈佛结构，具有低功耗、高速实时信号处理的特点。　　3CPLD硬件逻辑功能的设计　　CPLD是图像采集的核心部分，它直接控制CIS图像传感器和A/D转换器，完成数字图像数据采集、转换和存储，以及与DSP处理器的握手协调。　　CPLD模块总体功能的设计原理如图2所示，CPLD产生CIS图像传感器的时钟信号CLK（4M赫兹），选通信号输入SI，红色光源选通LEDr，绿色光源选通信号LEDg，红外光源选通LEDir。当CPLD控制这几个信号产生相应时序时，CI

7、S传感器通过模拟信号输出引脚SIG向A/D转换器串行移位输出对应像素的灰度。　　　　CPLD控制A/D转换器的输出选通OE信号，使A/D转换器可以输出转换后的数据，同时，CPLD产生数据的存储地址AD［0..16］和写信号WR，将A/D转换器的数字图像数据存储在相应的存储区中。　　总线切换与双存储区模块实现了两个数据存储区的轮换工作，其原理图如图3所示，CPLD通过控制存储选择信号E来实现双存储区的轮换工作，在上电初始时，选择信号E为高电平，存储区RAM1为写状态，同时RAM2受DSP处理器的控制，改变E的状态，实

8、现总线的切换。　　EN、NEXT和READY是DSP与CPLD之间的握手信号，EN为CPLD工作的使能信号，当EN为低电平时CPLD才开始工作。此时，若DSP处理器NEXT端上产生一个脉冲信号，CPLD控制CIS图像传感器采集一行（1728个像素）图像，同时，READY置0，表示正在采集，当一行图像采集完成时，READY信号恢复为高电平，当EN恢复为高电平时