史上最全的半导体材料工艺设计设备汇总

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1、WORD文档下载可编辑小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。1、单晶炉图片:temp4.jpg专业技术资料分享WORD文档下载可编辑图片:temp5.jpg设备名称：单晶炉。设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVATePlaAG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUMDESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏

2、晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。专业技术资料分享WORD文档下载可编辑2、气相外延炉图片:temp6.jpg设备名称：气相外延炉。设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业（品牌）：国际：美国CVDEquipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（KurtJ.Lesker）公司、美国App

3、liedMaterials公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。专业技术资料分享WORD文档下载可编辑3、分子束外延系统（MBE，MolecularBeamEpitaxySystem）图片:temp7.jpg设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCAInstruments公司

4、、美国SVTAssociates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国OxfordAppliedResearch（OAR）公司。国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。4、氧化炉（VDF）专业技术资料分享WORD文档下载可编辑图片:temp8.jpg设备名称：氧化炉。设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。主要企业（品牌）：国际：英国Thermco公司、德国Centrothermther

5、malsolutionsGmbHCo.KG公司。国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。5、低压化学气相淀积系统（LPCVD，LowPressureChemicalVaporDepositionSystem）专业技术资料分享WORD文档下载可编辑图片:temp9.jpg设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司、国内：上海驰舰半导体科技有限公

6、司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。专业技术资料分享WORD文档下载可编辑6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）图片:temp10.jpg设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。主要企业（品牌）：国际：美国ProtoFlex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（LamResearch）公司、荷兰ASM国际公司。国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。7、磁控溅射台（Magn

7、etronSputterApparatus）专业技术资料分享WORD文档下载可编辑图片:temp11.jpg设备名称：磁控溅射台。设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。主要企业（品牌）：国际：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司、荷兰Hauzer公司、英国Teer公司、瑞士Platit公司、瑞士Balzers