资源描述：
《同步辐射光刻用的极紫外光源》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、第40卷，第5期Vol.40,N。石·激光与光电苦昔进瓜May.20032003年5月参考文献1胡淞，苏伟军.0.8-lpm分步重复投影光刻机六自由度硅片定位系统设计与计算.光电工程，1998,26(3):7-112BertVleemine.BarbraHeskamo.HansBakkeretal."ArFstep&scansystemwith0.75NAforthe0.1Ommnode.Proc.SPIE,2001,4346:6343glu0k,Boudewjn,Castenmiler,Tom.Performanceresultsofanewgenera
2、tionof300mmlithographysystems.Proc.SPIE2001,4346:544-5574DickFallon.Anrlicationspecificwaferstepper.Proc.SPIE,1987,772:210-2175vanHoutFJ,vandenBrinkM人WittekoekSetal..Registrationaccuracyandcriticaldimensioncontrolfora5'reaucnonstepperwithmagnificationcontrol.Proc.SPIE,1987,811:118
3、-1296HamakerHC,BuckPD.Performanceofanewhigh-NAscanned-lasermasklithographysystem.Proc.SPIE,1997,3236:42-547SomniagrenGE.Linear/angulardisplacementinterferometerforwaferstagemetrology.Proc.SPIE,1989,1088:268-2718ValentinGE,HamakerHC,DanielJPetal..Improvementthroughputin0.6-NAlaserr
4、eticlewriters.Proc.SPIE,2001,4186:46-579KazuakiSuzuki,ShinjiWakamoto,KerjiNishi.KrFstepandscanexposuresystemusinghigherN.A.projectionlens.Pros.SPIE,1996,2726:767-77910BuckleyJD,KaratzasC.Stepandscan:Asystemsoverviewofanewlithographytool.Proc.SPIE,1989,1088:424-43311谢传钵.分步董复投影光刻机精密
5、快速定位工件台研究.光电工程，1996,23(4):70ProressofWaferStageandReticleStageforStep-and-Scan-LithographySystemLRJDanCHENGZhaoyuGAOHaijunHUANGHuijieZHAOQUANzhongSHENWei(ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics,TheChineseAcademyofSciences,Shanghai201800)AbstractRecentprogressintechnologyofwafers
6、tageandreticlestageusedinstep-and-scanlithographysystemisintroduced,andtheoverlayaccuracyandtheaccuracyoftheoverallsystemareanalyzed.Keywordsstep-and-scanlithographysystem,waferstage,reticlestage,overlayaccuracy同步辐射光刻用的极紫外光源、ghll:w,、>lrai.i'n9俞fa13.赫5nm,,&1。1.a、mn),1114M、OT二f,蕊AWF
7、PI;V`1(}11l1Z}fh;x49i}l6Ut,*这一带宽外功率最小研究了兰种选择，第一、二种用弯铁和波荡器辐津仪署握绘司和作:当发射过多的带外辐射时，光源带内功率不足第三种是用驱动的带有超由电子激光器rFEI,I这种装置能产生带内极紫外功率超过光刻·自由电子理幸矍1引言术I下一代光刻(NGL)]现在正由芯仑斯·里弗莫尔国家实验室光刻是加工微电子学半导体片制造商和设备制造商研制。(LLNL),劳仑斯·伯克利国家实验竞争的技术是角度限制散射室0BN助和桑迪亚国家实验室的器件〔如处理机或存储芯片)的一种的投影电子束光刻(SCALPEL)[21,成员。在日
8、本由超先进电子学技术技术，最近都使用深紫外辐射离子投影光刻['1,
