极紫外光刻材料研究进展

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------极紫外光刻材料研究进展第43卷第6期红外与激光工程2014年6月耿永友，邓常猛，吴谊群上海201800)(中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室，摘要院极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术，光刻综述了最近几年来文献材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料

2、研究提供参考，报道的研究成果，介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求，总结了极紫光刻原理，光刻性能所达到的水平外光刻材料的研究领域和具体分类，着重阐述了主要光刻材料的组成、和存在的主要问题，最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。关键词院极紫外光刻；极紫外光刻材料；极紫外光刻性能中图分类号院TN305.7文献标志码院A文章编号院1007-2276(2014)06-1850-07RecentprogressofextremeultravioletresistsGengYongyou,DengCh

3、angmeng,WuYiqun——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------(KeyLaboratoryofMaterialScienceandTechnologyforHighPowerLasers,ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics,ChineseAcad

4、emyofSciences,Shanghai201800,China)Abstract:ExtremeultravioletLithography(EUVL)hasbeenconsideredasthestrongcandidatefornextgenerationcommercialprojectionlithographytoprintsub-22nmhalf-pitch(HP)featuresinmicroelectronicsfield.Performanceandtechnologyofresistsisoneof

5、thekeypartsofEUVL.InordertoimprovetheresearchworkinChina,recentprogressofEUVresistsreportedinnearyearswasreviewed.ThehistoryandcurrentstatusofEUVLwereintroduced.EUVL忆featuresandtargetsonresistswerepresented.EUVresistresearchportfolioanditsclassificationweresummariz

6、ed.Composition,mechanismandperformancesforEUVLofrepresentativeresistswerefocused.Performancepossibilityandproblemsofthedifferentresistswerealsoanalyzed;RoutesinthefuturetoimproveEUVLperformancesforthemwerefinallydiscussed.Keywords:EUVL;EUVresists;performancesofEUVr

7、esists收稿日期院2013-10-10曰修订日期院2013-11-25基金项目院上海光源中国科学院大科学装置开放研究项目(自组装技术与超高密度纳米阵列研究)作者简介院耿永友(1968-)袁男袁博士袁副研究员袁主要从事光刻材料与光刻工艺方面的研究工作遥Email:yyoug@siom.ac.cn——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------

8、------------------0引言目前半导体器件制造使用ArF(193nm)浸没投影光刻袁最小线宽可以达到4Xnm袁配合二次曝光套刻技术最小线宽延伸到2Xnm节点遥但是二次曝光套刻技术的引入增加了制造过程的复杂程度和技术难度袁大大降低了器件的产量袁增加了器件的生产成本遥EUVL使用