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时间:2018-09-10
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1、WasteWaterTreatmentSystemPlanandBasicDesignGuide废水处理系统规划及基本设计指引技术手册SPECIFICATIONESM-002FOR1OF98DATE82108210.b部门文件文件夹设计规范ce3f60be3900c87cf5b0c3cf93fba7b5.docUNDERGROUNDPIPINGREV.0目录1.0系统简介32.0设计准则183.0设计应注意事项294.0应研读之法规-标准、书籍或数据425.0ABC科技股份有限公司范例59废水处理系统规划及基本120OF120D
2、ATE设计指引REV.01.0系统简介1.1名词释义1.混凝(Coagulation)由于微粒表面电荷中和后,利用粒子与粒子间彼此微弱的vanderwalls吸引力所造成的凝集作用。此种力量非常薄弱,容易受到机械力的破坏,因此混凝作用时,常加入助凝剂(如polymer)利用胶羽使粒子与粒子结合成较大的凝集体。常用之混凝剂有硫酸铝(明矾),多元氯化铝(PAC),硫酸亚铁(绿矾)。2.胶凝(Flocculation)在两个或多个微粒间,利用高分子聚和物(polymer)来做架桥作用,使微粒聚集成较大凝集体而增加沉降速度。3.沉淀(Sedim
3、entation)水质经凝结及凝聚作用后形成较大的凝集体,在沉淀池内使有足够的沉降时间与沉降速度使凝集体沉积池底。污泥脱水(SludgeDewatering)污泥脱水之目的在于减少污泥体积,使污泥易于搬运及废弃。一般污泥脱水可分为自然脱水与机械脱水。自然脱水乃利用干燥砂床将污泥披撒其上,藉重力把水份过滤掉在经由蒸气干燥达到脱水目的。4.PH值代表水值酸碱程度的一指标,pH=7为中性;Ph<7为酸性;Ph>7为碱性。5.BOD5(BiochemicalOxygenDemand)五日生化需氧量用以表示废水及表面水有机污染物的重要参数。主要是
4、测量水中被微生物用来分解有机物所耗的溶解氧量。废水处理系统规划及基本120OF120DATE设计指引REV.01.COD(ChemicalOxygenDemand)化学需氧量COD试验是用测量废水及天然水中有机物能被氧化之氧当量。一般来说,废水之COD较BOD高,因为能被化学氧化的化合物较被生物氧化的化合物为多,又COD与BOD间存有某种关系且COD约3小时即可测出,因此,通常用COD值来当做处理废水之依据。2.S.S.(SuspendedSolid)悬浮固定体指悬浮于水中之物质,其范围有自细小的胶状粒子至粗大的固定物,为污水水质之重要
5、指标。3.F(Fluoride)氟离子高浓度的氟化物对河川中生物具有毒性,因此对放流水质之氟离子含量有其规定限值。1.2废水来源及水质水量之分析以电子厂废水来源及特性来看,大致可分为:1.一般酸碱废水包括WetBench排水含HCL、HNO3、H2SO4、H3PO4、CH3COOH、NH4OH、H2O2……etc。特性为pH变动大,水中缓冲(buffer)少,此类废水量一般为最大宗。2.有机废水此类废水通常在TFT-LCD或PDP制程产生,其COD浓度平均1800mg/L,变化范围一般在1000~4500mg/L。一般需生物处理法去除。
6、3.含氟废水废水处理系统规划及基本120OF120DATE设计指引REV.0主要为晶圆厂蚀刻制程经清洗产生之废水,一般可分为低浓度(F-:200mg/L)高浓度(5~7%)。需特别注意浓度高于10%之氢氟酸,应视为化学品废液纳入化学系统之废液收集系统。1.CMP研磨废水化学机械研磨(CMP)制程为12〞晶圆制造的必备制程,其废水含有大量奈米级(小于100mm)的颗粒(其成份可能含有Cu、W、Ti、Ce等重金属及不可知的商业机密有机成份),一般研磨液可分为氧化膜及金属膜两大类。2.重金属废水一般晶圆厂及TFT-LCD厂较少有重金属废水产生
7、,但对PDP制程,其它电子组件,如:MLCC、CHIP-R或电镀制程者,就必需处理金属废水,另外,如:砷化镓制程有含砷废水,而铜制程CMP废水则含Cu离子需去除。3.BG晶背研磨废水BG废水为晶圆制程过程晶背研磨之清洗废水,含有大量SiO2颗粒,其粒径小于0.5μm。4.其他废水纯水再生废水:MMF、ACF反洗水主要污染成份为SS,离子交换树脂再生废水主要污染特性为pH值,其他如RO、EDI、UF浓缩水一般均可回收利用。废气洗涤塔排放水:主要含SS及依其废气性质而定之酸碱废水。冷却水塔旁滤系统反洗水:主要含SS。生活污水:一般为BOD=
8、230mg/L,COD=460mg/L,SS=230mg/L为设计基准。1.3各股废水之处理方法废水处理系统规划及基本120OF120DATE设计指引REV.01.一般酸碱废水处理一般将全厂废水经前处理后或
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