实验五 晶体管特性图示仪

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1、三、实验记录数据1、S8050：电压量程：100mV电流量程：200uA2、S8550电压量程：100mV电流量程：200uA3、TL431:电压量程：100mV电流量程：200uA4.IN4007:电压量程：100mV电流量程：200uA35.Z5V1:电压量程：100mV电流量程：200uA五、实验思考题1.请从Z5V1的击穿电压值判断其击穿类型，是雪崩击穿、齐纳击穿还是二者混合，说明判断理由。答：根据Z5V1的击穿电压可判断其击穿类型为二者混合，但以齐纳击穿为主。理由：Z5V1的击穿电压为5V左右，PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击

2、穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。2．对比IN4007的伏安特性，说明什么是完整的二极管模型。并说明与理想二极管和实际二极管模型的差异。答：完整的二极管模型由自建电势、小的正向动态阻抗和大的内部反向阻抗组成。当二极管处于正偏时，可视为一个闭合开关，再串联一个等于自建电势的电压源和一个小的正向动态电阻。当二极管处于反偏时，可视为一个开路开关，再并联一个大的内部反向电阻值。自建电势不影响反向电压，可不予考虑。理想模型是一个简单开关。3.请回答为什么S8050为NPN型？答：因为Vce为正时集电极反偏，因此是NPN型。34.请回答为什么S8550的输出特性曲线在第三象

3、限？在应用电路中经常将S8050和S8550配对使用，为什么？答：因为S8550是PNP型三极管。特性恰好与NPN型三极管相反。在应用电路中经常将S8050和S8550配对使用可以减少损耗。3