实验五晶体管特性图示仪

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1、三、实验记录数据1、S8050：电压量程:lOOmV电流量程：200uAI(uA)，1600400200700V(mv)4.IN4007:电压量程：lOOmV电流量程：200uA▲I(uA)1000厂/800/600400200200400600800心)5.Z5V1:电压量程：lOOmV电流量程：200uA▲I(uA)厂1000//8006004002001200400600800VflDv)五、实验思考题1•请从Z5V1的击穿电压值判断其击穿类型，是雪崩击穿、齐纳击穿还是二者混合，说明判断理由

2、。答：根据Z5V1的击穿电压可判断其击穿类型为二者混合，但以齐纳击穿为主。理由：Z5V1的击穿电压为5V左右，PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。2.对比IN4007的伏安特性，说明什么是完整的二极管模型。并说明与理想二极管和实际二极管模型的差异。答：完整的二极管模型由自建电势、小的正向动态阻抗和大的内部反向阻抗组成。当二极管处于正偏时，可视为一个闭合开关，再串联一个等于自建电势的电压源和一

3、个小的止向动态电阻。当二极管处于反偏时，可视为一个开路开关，再并联一个大的内部反向电阻值。自建电势不影响反向电压，可不予考虑。理想模型是一个简单开关。3.请回答为什么S8050为NPN型？答：因为Vce为止时集电极反偏，因此是NPN型。2.请回答为什么S8550的输出特性曲线在第三象限？在应用电路中经常将S8050和S8550配对使用，为什么？答：因为S8550是PNP型三极管。特性恰好与NPN型三极管相反。在应用电路中经常将S8050和S8550配对使用可以减少损耗。