memory)静态随机存取记忆体

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5、構等最大的不同為何？DRAM的一個記憶單元(memorycell)只需要一個MOS電晶體(transistor)就可達成，利用電晶體極際間因絕緣而產生的電容(capacitor)充電與否而判定為0或1，但因該絕緣無法完全絕緣，故儲存其上的電荷(charge)會隨著時間而逐漸流失，因此DRAM每隔一段時間要檢查其內部電荷儲存的情形，而週期性不停的補充流失的電荷，以保持其資料的正確性，此動作稱為更新(refresh)，DRAM記憶單元密度較高，但DRAM是電腦內較慢速的主記憶體。相對的，SRAM是一組大型的儲存單元陣列，SRAM的每一個記憶單元需

6、要4至6個MOS電晶體才能達成，只要通電就能保存儲存，SRAM電晶體又分成兩組，彼此互成翹翹板形勢，電學名稱為「Flip-Flop」(正反器)，因兩組電路彼此互相推拉，一正一反，固定後則電路成為穩態(stablestate)，因此不像DRAM一樣會有電荷流失的問題，因此SRAM不需更新。SRAM有三種狀態，分別是備變(standby)、讀取(read)、寫入(write)。因兩者構造不同其特性也不同，DRAM工作速度較慢，需不時的更新，故驅動電路較複雜，優點是相同面積所能置入的記憶單元密度較高。相反的SRAM工作速度極快，是較快速的快取記憶體

7、(cachememory)，驅動電路較簡單，但單位面積所能植入的記憶單元就少很多。不論是DRAM或SRAM，只要關掉電源(poweroff)，它們就會失去所有的資料，因此又稱為「揮發性記憶體」(volatilememory)。根據兩者不同的特性，在電腦的使用上也不同。目前需要極大容量來做螢幕及圖形顯示者就要使用DRAM，可利用人眼的視覺暫留時間及螢幕的更新頻率來同步作更新，故目前電腦所外加的記憶體:如SDRAM(SynchronousDRAM)(同步)、DDR1(DoubleDataRate1)(雙通道)、DDR2.....等，都屬於DRAM

8、，是目前電腦除CPU外最夯的晶片。至於SDRAM因速度快，但容量小，在電腦上多作為快取記憶體(cachememory)來使用，即CPU將最常用的程式及資料放置在其中