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1、单晶硅材料属性:热膨胀系数:2.6*10-6热导率:131w/(m·℃)ET,1,SOLID95!*MPTEMP,,,,,,,,MPTEMP,1,0MPDATA,EX,1,,1.6895e11MPDATA,EY,1,,1.6895e11MPDATA,EZ,1,,1.3002e11MPDATA,PRXY,1,,0.0625MPDATA,PRYZ,1,,0.2785MPDATA,PRXZ,1,,0.2785MPDATA,GXY,1,,0.5085e11MPDATA,GYZ,1,,0.7951e11MPDA
2、TA,GXZ,1,,0.7951e11MPTEMP,,,,,,,,MPTEMP,1,0MPDATA,DENS,1,,2330!*/PLOPTS,INFO,1玻璃基底(Pyrex—7740):杨氏模量:55(64)GPa泊松系数:0.2密度:2.23g/cm3热膨胀系数(ALPX):2.816*10-6/c热导率(KXX):1130w/m/deg-c多晶硅材料属性参见《微电子制造科学原理与工程技术》第二版557页热导率:0.34W/cmK热膨胀系数:2~2.8E-6/K比热:0.169cal/gK密度:
3、2.32g/cm3断裂应力:0.8~2.84GPa泊松系数:0.23杨氏模量:161GPa室温下电阻率:7.5E-4Ω*cm(通常比单晶硅高)剪切模量与杨氏模量、泊松系数的关系为就:,其中G为剪切模量,E为杨氏模量,p为泊松系数真空介电常数ε=8.854E-14F/cm空气的介电常数接近1硅的介电常数为11.7二氧化硅的介电常数为3.9(热导率平均值为1.4W/m.℃,热膨胀系数5.5×10-7/℃)波尔兹曼常数为1.381E-23J/K本征载流子浓度为1.45E10(cm-3)(27摄氏度条件下)空
4、气粘滞系数μ=1.82E-5Pa*s氮化硅:相对分子质量140.28。灰色、白色或灰白色。六方晶系。晶体呈六面体。密度3.44。硬度9~9.5,努氏硬度约为2200,显微硬度为32630MPa。熔点1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解。比热容为0.71J/(g·K)。生成热为-751.57kJ/mol。热导率为16.7W/(m·K)。线膨胀系数为2.75×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于氢氟酸。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻,20℃时为1.4×105
5、·m,500℃时为4×108·m。弹性模量为28420~46060MPa。耐压强度为490MPa(反应烧结的)。1285摄式度时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙,600度时使过渡金属还原,放出氮氧化物。抗弯强度为147MPa。来源:SOI高温压力传感器的研究(参考文献[50]:Performanceandpackageeffectofanovelpiezoresistivepressuresensorfabricatedbyfront-sideetchingtechnology)材料杨氏模量/MPa泊松
6、比膨胀系数(K-1)热导率(W/m·K)Si1310000.302.8E-61.412SiO2750000.170.8E-61.1Si3N43000000.242.6E-6(27℃)303.0E-6(220℃)Pyrex7740640.22.23E-61.143ET,1,SOLID186!*MPTEMP,,,,,,,,MPTEMP,1,0MPDATA,EX,1,,1.6895e11MPDATA,EY,1,,1.6895e11MPDATA,EZ,1,,1.3002e11MPDATA,PRXY,1,,0.
7、0625MPDATA,PRYZ,1,,0.2785MPDATA,PRXZ,1,,0.2785MPDATA,GXY,1,,0.5085e11MPDATA,GYZ,1,,0.7951e11MPDATA,GXZ,1,,0.7951e11MPTEMP,,,,,,,,MPTEMP,1,0MPDATA,DENS,1,,2330!*/PLOPTS,INFO,1微纳皮飞阿分别是十的负:6,9,12,15,18次方埃拍太吉兆分别是十的正:18,15,12,9,6次方