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1、《模电》二极管重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为
2、多子、而空穴为少子。7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,PN结宽度变窄;P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止,PN结宽度变宽。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。PN结的反向击穿:电击穿(雪崩击穿、齐纳击穿)[可逆]、热击穿[不可逆]。PN结电容:扩散电容(加正向电压)和势垒电容(加反向电压)8、二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反
3、偏时截止,呈大电阻,零电流。死区电压:Si管约0.5V,Ge管约为0.1V,其导通压降:Si管约0.7V,Ge管约为0.2V。这两组数也是判材料的依据。10、齐纳二极管(稳压管)是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。③加反向电压并击穿(即满足U﹥UZ)时便稳压为UZ。11、光电二极管(反向偏置)和发光二极管(正向偏置):符号11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。三极管复习完第二章再
4、判)1.试判断电路中二极管是导通还是截止。并分别求出各电路中A、O两端电压UAO。设二极管是理想器件。图(a):二极管D导通,UAO=–4V图(b):二极管D1导通、D2截止,UAO≈0V图(c):二极管D1截止、D2导通,UAO≈–6V2、在图所示的限幅电路中,已知输入信号为V,试画出输出电压uo的波形。设二极管为理想器件。电路的uO波形如图(a)、(b)、(c)、(d)所示。(b)(a)三、习题:3.4.53.4.93.5.1《模电》三极管和场效应管重点掌握内容:一、概念1、三极管(电流控制型)由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。三个区:
5、发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。两个结:集电区——基区形成的PN结。叫集电结。(JC)基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(Je)三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c)对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC。并有:IE=IB+IC2、三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。(注意电路符号的区别)3、三极管的输入电压电流用UBE、IB表示,输出电压电流
6、用UCE、IC表示。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC/IB(或IC=βIB)和开关作用.4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。导通压降:硅管约为0.7V,锗管约为0.2V。(这两组数也是判材料的依据)会根据三极管的各级电压或电流关系判断管子的极性、类型、材料、放大倍数等5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区:①饱和区:特点是UCE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC,Je都正偏.②截止区:特点是UBE≦
7、0,IB=0,IC=0,无放大.C-E间相当断开..其偏置条件JC,Je都反偏.③放大区:特点是UBE大于死区电压,UCE﹥1V,IC=βIB.其偏置条件Je正偏JC反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、温度对BJT参数和性能影响:温度升高,IcboβIcVcbo等增大;输入特性曲线左移,输出特性曲线上移。7、当输入信号Ii很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)8、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,
8、信号源短路,剩下的部分就是直流通路),求静态工作点I