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时间:2018-05-17
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1、用改进的光化学沉积方法制备ZnS薄膜以及其在ZnS/SnS异质结电池中的应用摘要ZnS薄膜是通过光化学沉积方法沉积在含S2O32+和Zn2+的水溶液中。在酸性溶液中S2O32+释放硫元素,但是如果释放的硫过量,硫胶体就形成了。为了阻止胶体的形成,Na2SO3被加入以除去过量的硫。沉积的薄膜几乎不能化学计量且没有感光性。为了制造ZnS/SnS异质结电池,ZnS被沉积在用电化学方法沉积的p型SnS薄膜上。在电流-电压测量中,ZnS/SnS异质结电池显示出改良的特性。说明介绍为了减少制造太阳能电池的损失,我
2、们已经尝试用电化学沉积方法制备化合物把半导体。电化学沉积方法是一种通过UV光照射沉浸于沉积溶液中的衬底而制备薄膜的技术,通过UV光使溶液中的离子兴奋,引起化学反应。[1]PCD是一种经济简便的方法并且可以确保大规模沉积。此外,这种沉积方法可以通过开闭光线来简单控制,而传统的化学池沉积方法主要通过池的温度来调节。到目前为止,PCD已经被应用到各种硫化物和硒化物中。[2-4]作为异质结太阳能电池的窗口层,CdS被广泛运用。CdS是一种宽带为2.4eV的n型半导体,因而CdS被可以与CuInSe2(CIS)
3、,CuIn1-xGaxSe2(CIGS)或者CdTe来制造异质结电池[5,6]。但是CdS对人体有毒,吸入CdS灰尘对人体的肾和骨骼有害。ZnS被认为是CdS的很好的替代品。ZnS是n型半导体,它的宽带据报导为3.7eV。它的组成元素对人体无毒,便宜且储量丰富。因此,ZnS非常作为异质结太阳能电池的窗口层。然而,鲜有使用ZnS作为窗口层制造异质结太阳能电池的成功报导。这主要是因为用化学池沉积法沉积ZnS比CdS更加困难。[11]ZnS的光化学沉积方法曾经尝试用持续的照明,但是获得的ZnS薄膜含有金属Z
4、n而且在可见光波段是不透光的。为了除去过量的Zn间歇照明被应用以取代持续照明[12]。在照明的关闭阶段,过量的Zn在溶液中溶解,结果,沉积的薄膜变得可以化学计量和透明。但是间歇照明比持续照明需要更多的沉积时间。在这项工作中我们采取了另外一种方法来除去过量的锌。在PCD方法中,Na2S2O3是硫的来源。为了增加硫含量和减少元素锌的沉积,可以增加Na2S2O3的含量。然而在Na2S2O3高集中度时,硫胶体就形成了。为了阻止硫胶体的形成,Na2SO3被加入来抑制过量的硫。正如下面章节所介绍的,我们成功地采用
5、PCD方法制备出了可化学计量的,透明和有感光性的ZnS薄膜。在这项研究中,采用PCD-ZnS,ZnS/SnS异质结二极管是一个创新。由于SnS的禁带是1.05eV,接近于硅,因此它是异质结太阳能电池中很有前途的吸收层材料。它的组成元素来源广泛且无毒。相比而言,其他更普遍采用的吸收层材料如CuInSe2和CdTe,其组成元素是昂贵且有毒的(Se,Cd,Te)。此外,SnS薄膜可以通过简单,惊悸和环境友好型的方法成功的制备出来,像高温溅射和电化学沉积方法[13,14]。有一些关于用SnS作吸收层制造异质结
6、电池的报导。在这些报道中,窗口层是CdS,CdO,Cd2SnO4和SnO2。我们从没发现关于用ZnS薄膜作为窗口层而SnS作为吸收层的报导。在研究中,我们通过点化学沉积方法制备SnS薄膜来制造ZnS/SnS异质结结构。2.实验图1显示了光化学沉积设备的概要。一个ITO玻璃薄板作为衬底。一个去油污的衬底沉浸在溶液表面3毫米以下并通过晶体透镜用一个500瓦的超高压水银弧光灯照亮。照射的直径大约为10毫米。在沉积期间生长溶液需要搅拌。ZnS薄膜沉积在包含1mmol/L的ZnSO4和600mmol/L的Na2
7、S2O3的溶液中并加入少量的硫酸以调节溶液PH为3.5左右。像先前所说的一样,与先前的PCD方法比较而言,Na2S2O3的集中度增加以抑制金属锌的沉积。以下是ZnS形成的化学反应式。在酸性溶液中,S2O32-与H+反应而产生S。2H++S2O32---〉S+H2SO3(1)S2O32-吸收波长在265nm以下的UV光后被认为是释放了S和一个电子。S2O32-+hv-->S+SO32-(2)2S2O3+hv-->S4O62-+2e-(3)Zn2+与硫和电子结合后ZnS就形成了。Zn2++S+2e--->
8、ZnS(4)但是如果释放的硫过量的话,硫胶体就会形成。为了阻止硫胶体的形成,Na2SO33也被加入以抑制过量的硫。S+SO32---〉S2O32-(5)衬底放在沉积溶液中照射一个小时。在这之前,少量溶液滴在衬底上并通过滤器在UV光的范围内照射5分钟。这个过程是为了在衬底表面产生核子并增加其可再现性。在照射之前生长溶液的温度是室温,在照射之后,温度提高5。C到10。C。我们确信在温度上的小小变化不会在溶液中产生任何影响。由于衬底和溶液在可见光和红外光下是几
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