半导体物理刘恩科重点 (1)

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1、第一章：重点记住几个概念，例如，有效质量、空穴、能带理论。。。回旋共振理解原理，其他了解 第二章：概念记忆 第三章：“相当重点”3.1  3.2  3.4  多遍阅读，一定要理解。 第四章：以迁移率为主线，热载流子概念很重要，很有可能出考题。载流子散射 格波 声子 概念理解。 第五章：“又一重点”非平衡少数载流子 概念，准费米能级 公式 ，符合理论 理解 “ 本章重点”连续性方程  大题经常出这方面的 第六章：没讲 专门开了一门课  „晶体管原理‟ 第七章：能级图的理解 ， 整流理论 掌握结论  其他概念 记忆 第八

2、章：MIS结构  现代MOS晶体管的重要基础，自己掂量分量，表面电场效应  公式 推倒 记忆 能运用公式计算  对图形的理解，  电容曲线 理解 第九章：了解概念 第十章：光电子方面基础 有专门的课介绍 ，其中光生伏特效应 应掌握 以后章节没讲。。。。 此课 是电子理论基础 对深层次的设计人员很重要，尤其物理级的。 全定制 设计理论基础 后续课程  数字CMOS    模拟CMOS  设计课  理论基础。 平时多看书多理解。 微电子学院《06年半导体物理考试大纲》  第一章、半导体中的电子状态 l 了解半导体的三种常

3、见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。  了解电子的共有化运动；l l 理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异；  掌握本征激发的概念。l l 理解半导体中电子的平均速度和加速度；  掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。l  理解本征半导体的导电机构；l l 掌握半导体空穴的概念及其特点。  理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。l 重要术语： 1. 允带  2. 电子的有效质量  3. 禁带 4. 

4、本征半导体 5. 本征激发 6. 空穴 7. 空穴的有效质量 知识点：     学完本章后，学生应具备以下能力： 1. 对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。 2. 讨论硅中能带的分裂。 3. 根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的意义。 4. 本征半导体与本征激发的概念。 5. 讨论空穴的概念。 6. 定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。      第二章、半导体中的杂质和缺陷能级 l 掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念；  了解浅能级杂质电离能的计算；l

5、  了解杂质补偿作用及其产生的原因；。l l 了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用；  理解III-V族化合物中的杂质能级的形成及特点；l l 了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；  了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种线缺陷）施主或受主能级的形成。l  重要术语