半导体物理(刘恩科)--详细归纳总结

半导体物理(刘恩科)--详细归纳总结

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1、第一章、半导体中的电子状态习题1-1、什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。1-2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。1-3、试指出空穴的主要特征。1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。1-5、某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV,晶格常数a=5х10-11m。求:(1)能带宽度;(2)能带底和能带顶的有效质量。题解:1-1、解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(≥Eg)被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的

2、电子-空穴对。如果温度升高,则禁带宽度变窄,跃迁所需的能量变小,将会有更多的电子被激发到导带中。1-2、解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。温度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允带变宽,则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之,温度降低,将导致禁带变宽。因此,Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。1-3、解:空穴是未被电子占据的空量子态,被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态,是准粒子。主要特征如下:A、荷正电:+q;B、空穴浓度表示为p(电子浓度表示为n);C

3、、EP=-EnD、mP*=-mn*。1-4、解:(1) Ge、Si:a)Eg(Si:0K)=1.21eV;Eg(Ge:0K)=1.170eV;b)间接能隙结构c)禁带宽度Eg随温度增加而减小;(2)   GaAs:a)Eg(300K)=1.428eV,Eg(0K)=1.522eV;b)直接能隙结构;c)Eg负温度系数特性:dEg/dT=-3.95×10-4eV/K;1-5、 解:(1)由题意得:(2)答:能带宽度约为1.1384Ev,能带顶部电子的有效质量约为1.925x10-27kg,能带底部电子的有效质量约为

4、-1.925x10-27kg。第二章、半导体中的杂质和缺陷能级2-1、什么叫浅能级杂质?它们电离后有何特点?2-2、什么叫施主?什么叫施主电离?施主电离前后有何特征?试举例说明之,并用能带图表征出n型半导体。2-3、什么叫受主?什么叫受主电离?受主电离前后有何特征?试举例说明之,并用能带图表征出p型半导体。2-4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。2-6、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响?2-7、何谓杂质补偿?杂质补偿的意义何在?题解:2-1、解:浅能级杂质是指其杂

5、质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电(电离施主)或带负电(电离受主)的离子,并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。2-2、解:半导体中掺入施主杂质后,施主电离后将成为带正电离子,并同时向导带提供电子,这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子(中心)的过程就叫施主电离。施主电离前不带电,电离后带正电。例如,在Si中掺P,P为Ⅴ族元素,本征半导体Si为Ⅳ族元素,P掺入Si中后,P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子,而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导

6、带成为自由电子。这个过程就是施主电离。n型半导体的能带图如图所示:其费米能级位于禁带上方2-3、解:半导体中掺入受主杂质后,受主电离后将成为带负电的离子,并同时向价带提供空穴,这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子(中心)的过程就叫受主电离。受主电离前带不带电,电离后带负电。例如,在Si中掺B,B为Ⅲ族元素,而本征半导体Si为Ⅳ族元素,P掺入B中后,B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子,而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。p型半导体的能带图如图所示:其费米能级位于禁

7、带下方2-4、解:在纯净的半导体中掺入杂质后,可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。例如,在常温情况下,本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为1.5╳1010cm-3。当在Si中掺入1.0╳1016cm-3后,半导体中的电子浓度将变为1.0╳1016cm-3,而空穴浓度将近似为2.25╳104cm-3。半导体中的多数载流子是电子,而少数载流子是空穴。2-6、解:深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。2-7、当半导体中既有施主又有受主时,施主和受

8、主将先互相抵消,剩余的杂质最后电离,这就是杂质补偿。利用杂质补偿效应,可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型,制造各种器件。第三章、半导体中载流子的统计分布3-1、对于某n型半导体,试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>EFi。3-2、试分别定性定量说明:(1)在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,载流子浓度越高;(2)对一定的材料,当

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