trench mosfet 的研究与进展

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1、“半导体技术”2007年第32卷第4期1技术论文“摘要”1趋势与展望P277-TrenchMOSFET的研究与进展P281-光子射频移相器研究与进展现代管理P284-晶圆复杂制造系统在线优化调度系统研究技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)P288-LECGaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制P293-VBGaAs单晶生长技术P297-硅片纳米微粒清洗洁净新技术P301-高阻真空区熔硅单晶的生长器件制造与应用P304-GaAsMESFET微波固态振荡器的设计与实现P308-SiO2/SiC界面陷阱电荷近似计算的局限P313-GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用P316-PS级任

2、意整形脉冲发生器工艺技术与材料P320-多层金属化系统中的蓄水池效应P324-骨架提取在IC晶片缺陷机器视觉识别中的研究集成电路设计与开发P328-嵌入式系统中EEPROM接口及控制电路设计P332-一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究P335-深亚微米SOC芯片分层设计方法P339-电压模式ｎ阶ＣＦＡ低通滤波器的设计微/纳工艺、材料与器件P342-基于MEMS的光开关技术研究封装、测试与设备P345-低压器件的三点式Delta测量法P349-影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究P354-功率型LED芯片的热超声倒装技术P358-柔性OLED封装方法的研究228趋势与

3、展望TrenchMOSFET的研究与进展苏延芬，刘英坤（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051）摘要：研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件TrenchMOSFET研究提出的背景及意义，并从其基本结构出发阐述了TrenchMOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状，关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望。光子射频移相器研究与进展马文英，董玮，刘彩霞，张歆东，贾翠萍，周敬然，陈维友（吉林大学电子科学与工程学院，集成光电子学国家重点联合实验室，长春130012）摘要：

4、光子射频移相器是光控相控阵的关键器件，近几年引起了广泛的关注。介绍了基于光实时延迟线、基于外差混频技术和基于矢量和技术的光子射频移相器，对其工作原理和技术特点作了分析。集成光学技术的发展将推动光子射频移相器向集成化、微型化的方向发展。现代管理晶圆复杂制造系统在线优化调度系统研究郭永辉１，２，钱省三２（１．郑州航空工业管理学院工业工程系，郑州４５００１５；２．上海理工大学管理学院，上海２０００９３）摘要：为更好地实现晶圆企业的绩效指标，与传统半导体生产优化研究方法不同，以生产线平衡为优化目标，提出了一个多重入晶圆复杂制造系统在线优化调度系统（OOSS）。该系统融合了生产线平衡

5、思想、DrumBufferRope思想以及分层调度优化思想，形成一个拉式调度优化系统，并能根据系统状态的变化动态地生成系统仿真模型，保证了仿真结果的有效性。进一步仿真实验表明该系统的有效性。8技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)LECGaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制周春锋，林健，郭鑫，吴元庆，张亮，赖占平（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要：在非掺杂LEC（liquidencapsulatedCzochralski）半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质，这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础

6、上，采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施，达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。VBGaAs单晶生长技术林健，牛沈军，兰天平（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津３００２２０）摘要：半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言，特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼（VB）法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VBGaAs单晶的生长技术。本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长，拉制的50mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500cm-2，最大为1000cm-2。硅片纳米微粒清洗洁净新技

7、术张慧，成立，韩庆福，严雪萍，刘德林，徐志春，李俊（江苏大学电气与信息工程学院，江苏镇江２１２０１３）摘要：随着半导体技术的不断发展，集成电路的线宽正在不断减小，对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求，故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法，然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术，包括低温冷凝喷雾清洗工艺，N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术，以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等。8高阻真空区熔硅单晶的生长闫萍